Transistor BD912 100V 15A TO-220

El transistor BD912 PNP es un componente semiconductor de potencia utilizado en circuitos electrónicos que requieren controlar corrientes elevadas y realizar amplificación o conmutación de señales eléctricas.

Este dispositivo pertenece a la familia de transistores de potencia BD911/BD912, donde el BD912 corresponde a la versión PNP. Puede trabajar con una tensión colector-emisor máxima de 100V y una corriente continua de colector de hasta 15A, bajo las condiciones de operación especificadas por el fabricante.

Su potencia máxima de disipación puede alcanzar los 90W cuando se mantienen las condiciones térmicas adecuadas, incluyendo una temperatura de carcasa controlada y un disipador apropiado.

Gracias a su encapsulado TO-220 de tres terminales, puede instalarse en placas electrónicas mediante montaje through-hole y acoplarse a un disipador térmico cuando la aplicación lo requiera.

El BD912 es una alternativa para etapas de salida de amplificadores, fuentes de alimentación, circuitos de control de potencia y proyectos electrónicos que requieren un transistor bipolar PNP de potencia.

Funciones destacadas

• Transistor bipolar de potencia tipo PNP.
• Tensión colector-emisor máxima: 100V.
• Corriente continua de colector: hasta 15A.
• Potencia máxima de disipación: hasta 90W bajo condiciones térmicas especificadas.
• Adecuado para amplificación y conmutación electrónica.
• Encapsulado TO-220 de tres terminales.
• Montaje through-hole.
• Compatible con aplicaciones de electrónica de potencia.
• Complementario del transistor NPN BD911 en aplicaciones de salida complementaria.

Usos comunes

• Etapas de salida de amplificadores de audio.
• Fuentes de alimentación.
• Circuitos de amplificación de potencia.
• Conmutación de cargas eléctricas.
• Sistemas de control electrónico.
• Etapas de salida complementarias NPN/PNP.
• Proyectos de electrónica de potencia.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.

Características técnicas

• Modelo: BD912.
• Tipo: Transistor bipolar PNP.
• Tecnología: Silicio.
• Tensión colector-emisor (VCEO): -100V.
• Tensión colector-base (VCBO): -100V.
• Corriente continua de colector (IC): -15A.
• Potencia máxima de disipación (Ptot): 90W, bajo condiciones térmicas especificadas.
• Encapsulado: TO-220.
• Montaje: Through-hole.
• Número de terminales: 3.
• Configuración de pines: 1-Base, 2-Colector, 3-Emisor, vista frontal del componente.
• Pestaña metálica: Conectada eléctricamente al colector.
• Polaridad: PNP.

Nota técnica:
Los valores de tensión, corriente y potencia representan límites máximos y no deben utilizarse simultáneamente sin verificar el área de operación segura (SOA). La potencia de disipación de 90W requiere mantener la temperatura de la carcasa dentro de los límites establecidos y utilizar un disipador térmico adecuado.

Al ser un transistor PNP, su polarización y orientación en el circuito son diferentes a las de un transistor NPN. Antes de sustituirlo por otro componente, verifica la distribución de pines, las características eléctricas y las condiciones térmicas.

Datasheet:

Transistor BD912

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Para más información, consulte Transistores.