Transistor BDW93C NPN 100V 12A TO-220

El transistor BDW93C NPN Darlington es un componente semiconductor de potencia que integra dos transistores bipolares en una configuración Darlington. Esta estructura proporciona una elevada ganancia de corriente, permitiendo controlar corrientes de colector relativamente altas mediante una corriente de base menor que la requerida por un transistor bipolar convencional.

Este dispositivo soporta una tensión colector-emisor máxima de 100V y una corriente continua de colector de 12A, con una corriente de colector pulsada de hasta 15A, bajo las condiciones especificadas por el fabricante. Su potencia máxima de disipación es de 80W, siempre que se mantenga la temperatura de la carcasa dentro de los límites establecidos.

El BDW93C incorpora un diodo antiparalelo integrado entre colector y emisor, característica útil en determinadas aplicaciones de conmutación. Su encapsulado TO-220 de tres terminales permite instalarlo en circuitos de montaje through-hole y utilizar disipación térmica adicional cuando sea necesario.

Este transistor es adecuado para aplicaciones de electrónica de potencia, control de cargas, etapas de salida, amplificadores y equipos industriales que requieran un dispositivo Darlington NPN.

Funciones destacadas

• Transistor bipolar de potencia tipo NPN Darlington.
• Alta ganancia de corriente gracias a su configuración Darlington.
• Tensión colector-emisor máxima: 100V.
• Corriente continua de colector: 12A.
• Corriente de colector pulsada: hasta 15A, bajo condiciones especificadas.
• Potencia máxima de disipación: 80W con temperatura de carcasa controlada.
• Diodo antiparalelo integrado entre colector y emisor.
• Encapsulado TO-220 de tres terminales.
• Adecuado para amplificación y conmutación de potencia.
• Compatible con montaje through-hole.

Usos comunes

• Circuitos de conmutación electrónica.
• Control de cargas eléctricas.
• Etapas de salida de amplificadores.
• Circuitos de amplificación de potencia.
• Fuentes de alimentación.
• Control de actuadores y motores, según el diseño del circuito.
• Equipos de automatización industrial.
• Proyectos de electrónica de potencia.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.

Características técnicas

• Modelo: BDW93C.
• Tipo: Transistor bipolar NPN Darlington.
• Tecnología: Silicio epitaxial.
• Configuración: Darlington monolítico.
• Tensión colector-emisor (VCEO): 100V.
• Tensión colector-base (VCBO): 100V.
• Corriente continua de colector (IC): 12A.
• Corriente de colector pulsada (ICM): 15A.
• Corriente máxima de base (IB): 0.2A.
• Potencia máxima de disipación (Ptot): 80W, con temperatura de carcasa de hasta 25 °C.
• Ganancia de corriente (hFE): Mínimo 750 a IC = 5A y VCE = 3V.
• Tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)): Hasta 3V a IC = 10A e IB = 100mA.
• Temperatura máxima de juntura: 150 °C.
• Temperatura de almacenamiento: -65 a 150 °C.
• Resistencia térmica juntura-carcasa: 1.5 °C/W.
• Encapsulado: TO-220.
• Montaje: Through-hole.
• Configuración de pines: 1-Base, 2-Colector, 3-Emisor.
• Pestaña metálica: Conectada eléctricamente al colector.
• Diodo integrado: Antiparalelo entre colector y emisor.

Nota técnica:
La potencia máxima de 80W requiere mantener la temperatura de la carcasa en las condiciones especificadas y utilizar un disipador térmico adecuado. La corriente y la tensión máximas no deben alcanzarse simultáneamente sin verificar el área de operación segura (SOA) del transistor.

Debido a su configuración Darlington, la tensión de saturación colector-emisor es mayor que la de un transistor bipolar convencional. Es importante considerarla al diseñar circuitos de conmutación, especialmente cuando se manejan corrientes elevadas.

Datasheet:
Transistor BDW93C

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Para más información, consulte Transistores.