Transistor MOSFET 2SJ308 Canal P 250 V 9 A TO-220ML

Descripción corta:
El 2SJ308 es un transistor MOSFET de potencia de canal P, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Soporta una tensión drenador-fuente de hasta −250 V y una corriente continua de drenador de −9 A, con una resistencia de conducción típica de 0,35 Ω. Su encapsulado TO-220ML permite integrarlo en diferentes diseños electrónicos de potencia.

Descripción larga optimizada con estructura H2 y H3:

El MOSFET 2SJ308 de canal P es un semiconductor de potencia desarrollado para aplicaciones de conmutación rápida. Ofrece una tensión drenador-fuente máxima de −250 V, una corriente continua de drenador de −9 A y una tensión compuerta-fuente de ±30 V. Su baja resistencia de conducción contribuye a reducir las pérdidas durante el funcionamiento cuando se utiliza dentro de las condiciones especificadas por el fabricante.

Este componente puede emplearse en circuitos de control de potencia, etapas de conmutación y otros diseños electrónicos que requieran un MOSFET de canal P. Antes de incorporarlo a un circuito, es importante verificar la disipación térmica, las condiciones de accionamiento de compuerta y la distribución de terminales. El 2SJ308 utiliza el encapsulado TO-220ML y cuenta con tres terminales: compuerta (Gate), drenador (Drain) y fuente (Source).

Características destacadas del MOSFET 2SJ308

• Transistor MOSFET de potencia de canal P.
• Tensión máxima drenador-fuente: −250 V.
• Corriente continua máxima de drenador: −9 A, bajo las condiciones indicadas en la hoja de datos.
• Corriente de drenador pulsada: −36 A bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica: 0,35 Ω.
• Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
• Encapsulado TO-220ML de tres terminales.
• Tensión compuerta-fuente máxima: ±30 V.

Usos comunes en electrónica

• Circuitos de conmutación de potencia.
• Etapas de control electrónico.
• Proyectos de electrónica de potencia.
• Sistemas de control que requieren transistores MOSFET de canal P.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos compatibles.
• Prototipos y diseños experimentales de conmutación.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ308.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: P.
• Fabricante original: SANYO.
• Tensión drenador-fuente (VDS): −250 V.
• Tensión compuerta-fuente (VGS): ±30 V.
• Corriente continua de drenador (ID): −9 A.
• Corriente pulsada de drenador (IDP): −36 A, con ancho de pulso ≤10 µs y ciclo de trabajo ≤1 %.
• Resistencia drenador-fuente en conducción (RDS(on)): 0,35 Ω típica; 0,48 Ω máxima, con ID = −5 A y VGS = −10 V.
• Disipación de potencia: 2 W en las condiciones especificadas a temperatura ambiente; hasta 40 W con la carcasa a Tc = 25 °C.
• Temperatura máxima del canal: 150 °C.
• Encapsulado: TO-220ML.
• Terminales: 1. Gate, 2. Drain, 3. Source.
• Aplicación principal: Conmutación de alta velocidad

Datasheet:

-2SJ308-

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