Transistor MOSFET Canal N BSS138LT1G SOT-23

El Transistor MOSFET BSS138LT1G es un dispositivo de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación y control de señal en sistemas electrónicos de bajo consumo. Gracias a su tecnología MOSFET y a su encapsulado SOT-23-3 para montaje SMD/SMT, este transistor permite una integración eficiente en placas PCB compactas, optimizando espacio y rendimiento eléctrico.

Este MOSFET soporta un voltaje entre emisor y colector de hasta 50 V y una corriente de colector de 200 mA, lo que lo hace adecuado para el manejo de señales y cargas ligeras en circuitos digitales y analógicos. Además, presenta una resistencia de referencia de 3.5 ohms, lo que contribuye a una baja pérdida de conducción y a una mayor eficiencia energética durante la operación.

El Transistor MOSFET BSS138LT1G admite un voltaje base-emisor de hasta 20 V y un voltaje base-colector de 850 mV, asegurando un control estable y preciso en aplicaciones de conmutación lógica. Asimismo, su disipación máxima de potencia de 225 mW y su temperatura máxima de operación de 150 °C permiten un funcionamiento confiable en entornos electrónicos exigentes.

Gracias a estas características, el Transistor MOSFET BSS138LT1G se utiliza ampliamente en proyectos de electrónica, robótica e ingeniería, especialmente en conversión de niveles lógicos, control de señales, interfaces digitales y protección de líneas. En consecuencia, se convierte en una solución versátil y confiable para diseños profesionales y prototipos avanzados.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET BSS138LT1G:

• Permite conmutación eficiente de señales de bajo consumo.
• Ofrece baja resistencia de conducción para mayor eficiencia.
• Facilita integración en PCB compactos mediante encapsulado SOT-23.
• Soporta control estable en aplicaciones de nivel lógico.
• Garantiza operación confiable a temperaturas elevadas.

Aplicaciones comunes:

• Conversión de niveles lógicos.
• Conmutación de señales digitales y analógicas.
• Interfaces de comunicación.
• Proyectos de electrónica y robótica.
• Sistemas embebidos de bajo consumo.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET
• Modelo: BSS138LT1G
• Polaridad: Canal N
• Número de canales: 1
• Montaje: SMD/SMT
• Encapsulado: SOT-23-3
• Voltaje emisor-colector: 50 V
• Corriente de colector: 200 mA
• Resistencia de referencia: 3.5 ohms
• Voltaje base-emisor: 20 V
• Voltaje base-colector: 850 mV
• Disipación máxima de potencia: 225 mW
• Temperatura máxima de operación: 150 °C

Hoja de datos: BSS138LT1G

Para más MOSFETs y transistores de señal, consulte la sección Semiconductores Discretos y MOSFETs de Baja Potencia.