Transistor PNP 2N2907 Alta Corriente TO-92
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El Transistor 2N2907 PNP permite amplificación y conmutación de señales en circuitos electrónicos, soportando hasta 60 V y 600 mA con encapsulado TO-92 compacto.
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El Transistor 2N2907 es un transistor bipolar de unión (BJT) PNP diseñado para aplicaciones de amplificación de señal y conmutación de corriente media en proyectos electrónicos y sistemas de control. Su construcción permite manejar un voltaje colector-emisor y colector-base de hasta 60 V, garantizando funcionamiento estable en circuitos de baja y media potencia.
Este transistor admite una corriente máxima de colector de 600 mA y un pico máximo de -600 mA, lo que lo hace apto para aplicaciones de conmutación y control de cargas moderadas. Su disipación de potencia máxima de 625 mW asegura operación confiable en condiciones de uso continuo dentro de su rango de temperatura de -55 °C a +150 °C.
El 2N2907 PNP está encapsulado en TO-92, facilitando su montaje en placas de circuito impreso y prototipos. Es adecuado para etapas de amplificación de audio, controladores de relé, osciladores, conmutadores de señales y circuitos de interface, brindando alta confiabilidad en diseño electrónico.
Funciones destacadas del Transistor 2N2907:
- Amplificación de señales analógicas y digitales.
- Conmutación de cargas moderadas.
- Alta tolerancia a voltajes de hasta 60 V.
- Soporta corriente de colector hasta 600 mA.
- Disipación de potencia de 625 mW para operación estable.
- Encapsulado TO-92 de fácil integración.
Aplicaciones comunes:
- Etapas de amplificación de audio y señal.
- Control de relés y actuadores.
- Osciladores y generadores de señal.
- Interfaces electrónicas y controladores de bajo voltaje.
- Proyectos de electrónica educativa y prototipado.
Características técnicas:
- Tipo: PNP BJT
- Modelo: 2N2907
- Voltaje colector-base: -60 V (Ie = 0)
- Voltaje colector-emisor: -60 V (Ib = 0)
- Voltaje emisor-base: -5 V (Ic = 0)
- Corriente de colector: 600 mA
- Pico máximo de corriente colector: -600 mA
- Disipación de potencia: 625 mW
- Rango de temperatura: -55 °C a 150 °C
- Encapsulado: TO-92
Hoja de datos: Hoja de datos – 2N2907
Para más componentes de señal, consulte la sección Transistores
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