Transistor NPN MMBT8050 SOT-23

El Transistor MMBT8050 NPN es un semiconductor bipolar diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación en circuitos electrónicos de propósito general. Gracias a su configuración NPN y a su encapsulado SOT-23, este transistor permite una integración eficiente en diseños compactos, optimizando el uso del espacio en placas PCB modernas.

Este dispositivo soporta una corriente continua de colector de hasta 0.6 A y una disipación total de potencia de 0.35 W, por lo tanto, resulta adecuado para etapas de salida de baja a media potencia. Además, presenta una tensión colector-base de 40 V y una tensión colector-emisor de 25 V, lo que garantiza un funcionamiento estable dentro de rangos eléctricos comunes en proyectos de electrónica y control.

El Transistor MMBT8050 NPN destaca por su frecuencia de transición de 100 MHz, lo que permite una respuesta rápida en aplicaciones de conmutación y amplificación de señales. Asimismo, su ganancia de corriente continua típica (hfe) de 100 asegura un buen desempeño en etapas amplificadoras, reduciendo la necesidad de componentes adicionales.

Gracias a su capacidad de operar a temperaturas de unión de hasta 150 °C, el Transistor MMBT8050 NPN mantiene un funcionamiento confiable incluso en entornos exigentes. En consecuencia, ingenieros y desarrolladores lo utilizan ampliamente en proyectos de electrónica, robótica y sistemas de control, donde la estabilidad y la repetibilidad resultan fundamentales.

Este transistor se emplea comúnmente en drivers de señal, etapas de amplificación, conmutación de cargas pequeñas y aplicaciones de control digital, ofreciendo un equilibrio adecuado entre rendimiento, tamaño y eficiencia.

Funciones destacadas del Transistor MMBT8050 NPN:

• Permite amplificación eficiente de señales electrónicas.
• Facilita conmutación rápida gracias a su alta frecuencia de transición.
• Ofrece buena ganancia de corriente para diseños compactos.
• Soporta operación estable a temperaturas elevadas.
• Optimiza el espacio en PCB con encapsulado SOT-23.

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores de señal de baja potencia.
• Etapas de conmutación electrónica.
• Drivers para cargas pequeñas.
• Proyectos de robótica y electrónica general.
• Sistemas de control y automatización básica.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor bipolar NPN
• Modelo: MMBT8050
• Encapsulado: SOT-23
• Disipación de potencia (Pc): 0.35 W
• Tensión colector-base (Vcb): 40 V
• Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
• Tensión emisor-base (Veb): 6 V
• Corriente máxima de colector DC (Ic): 0.6 A
• Ganancia de corriente continua (hfe): 100
• Frecuencia de transición (ft): 100 MHz
• Temperatura máxima de operación (Tj): 150 °C

Hoja de datos: mmbt8050

Para más transistores bipolares y componentes discretos, consulte la sección Semiconductores Discretos y Transistores Bipolares.