Transistor NPN de Potencia 2SD313 TO-220

El 2SD313 (D313) es un transistor NPN de silicio fabricado para aplicaciones de potencia media donde se requiere una combinación de buena capacidad de corriente, baja tensión de saturación y alta confiabilidad. Es ampliamente utilizado en etapas de salida de amplificadores de audio, reguladores de voltaje, fuentes de alimentación y circuitos de conmutación.

Gracias a su baja tensión de saturación VCE(sat) y una ganancia de corriente (hFE) adecuada para aplicaciones de potencia, el D313 proporciona un funcionamiento eficiente tanto en modo lineal como en conmutación. Su diseño permite controlar cargas de corriente moderada con una adecuada disipación térmica cuando se instala sobre un disipador de calor.

El encapsulado TO-220 facilita el montaje sobre disipadores, mejorando el manejo térmico en aplicaciones continuas. Es común encontrarlo en amplificadores de audio de 15 W a 25 W, fuentes lineales, reguladores, controladores de motores y equipos electrónicos de uso general.

Funciones destacadas

• Transistor bipolar NPN de potencia.
• Baja tensión de saturación.
• Corriente de colector de hasta 3 A.
• Voltaje colector-emisor de 60 V.
• Potencia de disipación de 30 W.
• Alta ganancia de corriente.
• Encapsulado TO-220.
• Excelente capacidad de disipación térmica.
• Ideal para amplificación y conmutación.
• Fácil integración en circuitos electrónicos.

Usos comunes

• Amplificadores de audio.
• Fuentes de alimentación.
• Reguladores de voltaje.
• Conmutación de cargas.
• Controladores de motores.
• Equipos electrónicos.
• Automatización.
• Circuitos de potencia.
• Proyectos de electrónica.
• Reparación de equipos electrónicos.

Características técnicas

• Modelo: D313 / 2SD313.
• Tipo: Transistor bipolar NPN.
• Voltaje colector-emisor (VCEO): 60 V.
• Voltaje colector-base (VCBO): 60 V.
• Voltaje emisor-base (VEBO): 5 V.
• Corriente máxima de colector (IC): 3 A.
• Potencia máxima de disipación (PC): 30 W.
• Ganancia de corriente (hFE): 40 a 320.
• Frecuencia de transición (fT): 5 a 8 MHz.
• Temperatura de operación: -55 °C a +150 °C.
• Encapsulado: TO-220.
• Montaje: Through Hole (THT).

Datasheet

2SD313 (D313) – Transistor NPN de Potencia TO-220.

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