Transistor MOSFET IRFZ44N 55V 49A TO-220AB

El Transistor MOSFET IRFZ44N es un dispositivo de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y manejo de corrientes elevadas. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) de hasta 55V y una corriente continua de 49A, este componente es una solución robusta y eficiente para sistemas de control de potencia, fuentes conmutadas, convertidores DC-DC y controladores de motores.

Su baja resistencia drenaje-fuente RDS(on) de 0.0175Ω permite una pérdida mínima de energía y menor generación de calor durante la conducción, mejorando la eficiencia global del circuito. Con una disipación máxima de 94W, el Transistor MOSFET IRFZ44N puede operar de forma estable en condiciones de alta carga, siempre que se utilice un disipador adecuado.

La tensión de compuerta-fuente (Vgs) de ±20V y su tensión umbral de 4V lo hacen compatible con controladores lógicos y microcontroladores, permitiendo un control preciso de encendido y apagado. Su carga de compuerta (Qg) de 63nC y tiempo de elevación (tr) de solo 60ns garantizan conmutaciones rápidas y eficientes, esenciales en aplicaciones de alta frecuencia o respuesta dinámica.

El encapsulado TO-220AB facilita su montaje y asegura una excelente disipación térmica. El IRFZ44N es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación, controladores de velocidad, inversores y sistemas de robótica, donde la eficiencia, confiabilidad y rendimiento térmico son esenciales.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRFZ44N:

• Canal N para conmutación de alta corriente.
• Maneja 55V y 49A con baja pérdida de potencia.
• RDS(on) de solo 0.0175Ω para alta eficiencia.
• Conmutación rápida (tr = 60ns).
• Alta disipación (94W) con encapsulado TO-220AB.
• Compatible con señales lógicas de control.
• Alta fiabilidad térmica hasta 175°C.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Controladores de motores DC.
• Convertidores DC-DC y etapas de potencia.
• Inversores y sistemas solares.
• Proyectos de robótica y automatización.
• Amplificadores de potencia de baja frecuencia.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET canal N
• Polaridad: N
• Encapsulado: TO-220AB
• Disipación total (Pd): 94W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 55V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
• Corriente de drenaje continua (Id): 49A
• Tensión umbral Vgs(th): 4V
• Carga de compuerta (Qg): 63nC máx.
• Tiempo de elevación (tr): 60ns
• Capacitancia drenaje-sustrato (Cd): 360pF
• Resistencia RDS(on): 0.0175Ω
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175°C

Hoja de datos: Hoja de datos

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