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Transistor Mosfet NCE4688

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El transistor Mosfet IRF840N es un dispositivo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y excelente diseño para ser utilizado en aplicaciones de baja potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  baja potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones. Viene en un encapsulado Sop-8.

Agotado

Características:

  • Polaridad de transistor: N
  • Disipación total del dispositivo (Pd): 2.5 W
  • Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V
  • Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
  • Corriente continua de drenaje |Id|: 6.1 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
  • Carga de compuerta (Qg): 21 nC
  • Tiempo de elevación (tr): 150 nS
  • Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
  • Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.03 Ohm
  • Encapsulado: SOP8

Aplicaciones:

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