Transistor Mosfet IRF9610 P-Channel 200V 1.8A TO-220
Transistor Mosfet IRF9610 canal P de 200V y 1.8A, ideal para control de potencia y conmutación high-side. Encapsulado TO-220.
Control preciso con el Transistor Mosfet IRF9610
El transistor Mosfet IRF9610 es un dispositivo de canal P diseñado para manejar señales de alta tensión en aplicaciones de conmutación de potencia. Con una capacidad de hasta 200V y 1.8A, se utiliza comúnmente en configuraciones high-side, donde se requiere controlar el flujo de corriente desde el positivo de la fuente hacia la carga.
Gracias a su encapsulado TO-220, este transistor puede disipar calor de manera eficiente, permitiendo un funcionamiento estable incluso en entornos industriales o de laboratorio. Es ideal para circuitos de control de potencia, fuentes conmutadas y sistemas electrónicos donde se necesite un conmutador de canal P confiable.
Características técnicas del IRF9610
- Tipo: MOSFET canal P
- Voltaje drenaje-fuente (Vds): -200V
- Corriente de drenaje (Id): -1.8A
- Rds(on): 3.0Ω @ Vgs = -10V
- Encapsulado: TO-220
- Voltaje de compuerta (Vgs): ±20V
- Modo de montaje: THT (Through-Hole)
- Frecuencia de operación: Alta velocidad de conmutación
Aplicaciones comunes del Transistor Mosfet IRF9610
- Conmutación en la parte alta de circuitos (high-side)
- Fuentes de alimentación conmutadas
- Convertidores DC-DC de bajo consumo
- Sistemas de control de carga
- Amplificadores conmutados
- Automatización y prototipado electrónico
- Conexión segura de cargas inductivas a alto voltaje
Ventajas del Transistor Mosfet IRF9610
- Soporta alto voltaje de hasta 200V
- Diseño compacto TO-220, fácil de integrar
- Ideal para topologías de control high-side
- Velocidad de conmutación rápida para mayor eficiencia
- Alta estabilidad térmica en operación continua
- Compatible con circuitos de control TTL y CMOS
Hoja de datos: IRF9610 Datasheet
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