Transistor MOSFET IRF540N N-Channel TO-220AB

El transistor MOSFET IRF540N es un dispositivo de potencia tipo N-Channel diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y alta eficiencia energética. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) de 100 V y una corriente continua de drenaje (Id) de 33 A, este componente proporciona un rendimiento confiable en sistemas de control y conversión de energía.

Su baja resistencia RDS(on) de 0.044 Ω reduce significativamente las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia térmica y eléctrica del sistema. Además, su disipación total (Pd) de 130 W y su temperatura máxima de unión de 175 °C aseguran una operación estable en entornos exigentes.

El IRF540N presenta un tiempo de elevación (tr) de 35 ns y una carga de compuerta (Qg) máxima de 71 nC, lo que lo hace apto para circuitos de conmutación de alta velocidad y control por microcontrolador o driver lógico. La conductancia de drenaje-sustrato (Cd) de 250 pF contribuye a una buena respuesta dinámica y estabilidad bajo carga.

Su encapsulado TO-220AB permite una eficiente disipación térmica y un montaje sencillo con disipadores. Por su diseño robusto y alta capacidad de corriente, el transistor MOSFET IRF540N se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, controladores de motores y sistemas de control de carga.

Funciones destacadas del transistor MOSFET IRF540N:

• Baja resistencia RDS(on) para mínima pérdida de energía.
• Conmutación rápida con tiempo de elevación de 35 ns.
• Soporta 100 V y 33 A continuos.
• Alta potencia de disipación: 130 W.
• Ideal para controladores de motores y fuentes conmutadas.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Inversores de energía y convertidores DC-DC.
• Control de motores y drivers PWM.
• Etapas de salida en amplificadores de potencia.
• Sistemas de control electrónico y automatización.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET.
• Polaridad: N-Channel.
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V.
• Corriente continua de drenaje (Id): 33 A.
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V.
• Tensión umbral (Vgs(th)): 4 V.
• Disipación total (Pd): 130 W.
• Carga de compuerta (Qg): 71 nC (máx.).
• Tiempo de elevación (tr): 35 ns.
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF.
• Resistencia RDS(on): 0.044 Ω.
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C.
• Encapsulado: TO-220AB.

Hoja de datos:IRF540N

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