Transistor MOSFET IRF3709 N-Canal 30V 90A

El Transistor MOSFET IRF3709 es un dispositivo N-Canal de alta eficiencia diseñado para aplicaciones que requieren conmutación rápida y manejo de altas corrientes con mínima pérdida de energía. Con una capacidad de corriente continua de 90 A y una tensión drenaje-fuente (Vds) de 30 V, este MOSFET proporciona un rendimiento excepcional en sistemas de baja tensión y alta corriente, como controladores de motores, convertidores DC-DC y fuentes conmutadas.

Su baja resistencia RDS(on) de 0.009 Ω minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia térmica y la estabilidad del sistema. Con una tensión umbral de compuerta-fuente (Vgs(th)) de 3 V y una carga de compuerta (Qg) de 27 nC, el Transistor MOSFET IRF3709 permite un control rápido y preciso con señales lógicas estándar, ideal para aplicaciones con microcontroladores o controladores PWM.

La disipación total de 120 W y la temperatura operativa máxima de 150 °C garantizan un funcionamiento estable bajo condiciones exigentes. Su diseño robusto y su alta conductividad lo hacen apto para sistemas de potencia compactos, donde la densidad energética y la fiabilidad son prioritarias.

El Transistor MOSFET IRF3709 es una opción versátil y eficiente para diseñadores que buscan optimizar el rendimiento eléctrico y térmico en proyectos de electrónica de potencia, robótica y automatización industrial.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF3709:

• Baja resistencia RDS(on) de 0.009 Ω para alta eficiencia.
• Corriente continua de hasta 90 A.
• Alta capacidad de disipación térmica (120 W).
• Conmutación rápida y control preciso.
• Compatible con señales lógicas estándar.

Aplicaciones comunes:

• Convertidores DC-DC y fuentes de alimentación conmutadas.
• Controladores de motores DC y BLDC.
• Sistemas de automatización y robótica.
• Inversores y módulos de potencia.
• Gestión de baterías y control de energía.

Características técnicas:

• Tipo de FET: MOSFET
• Polaridad: N-Canal
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 90 A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 3 V
• Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.009 Ω
• Carga de compuerta (Qg): 27 nC
• Potencia disipada (Pd): 120 W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
• Tipo de encapsulado: TO-220 o equivalente

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