Transistor MOSFET IRF3703 N-Canal 30V 210A
$ 0.8
El Transistor MOSFET IRF3703 ofrece ultra baja resistencia, alta capacidad de corriente y conmutación rápida para aplicaciones de potencia intensiva.
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El Transistor MOSFET IRF3703 es un dispositivo N-Canal de alto rendimiento diseñado para ofrecer la máxima eficiencia en sistemas de potencia y control electrónico. Con una corriente continua de drenaje de 210 A y una tensión drenaje-fuente (Vds) de 30 V, este MOSFET proporciona una solución robusta y eficiente para aplicaciones que requieren una conducción estable y pérdidas mínimas.
Su resistencia drenaje-fuente (RDS(on)) ultrabaja de 0.0028 Ω reduce drásticamente las pérdidas por conducción, aumentando la eficiencia energética y disminuyendo la generación de calor. La carga de compuerta (Qg) de 209 nC está optimizada para un equilibrio entre velocidad de conmutación y control estable en sistemas de potencia exigentes.
El Transistor MOSFET IRF3703 tiene una disipación total de 230 W, lo que le permite operar bajo corrientes elevadas sin comprometer su integridad térmica. Su tensión de compuerta-fuente de ±20 V asegura compatibilidad con controladores MOSFET estándar y circuitos lógicos de potencia.
Gracias a su excelente conductividad y rápida respuesta, este dispositivo es ideal para convertidores DC-DC, controladores de motores de alta potencia, inversores y fuentes conmutadas, donde la eficiencia, la durabilidad y la estabilidad son fundamentales.
Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF3703:
- Ultra baja resistencia RDS(on) de 0.0028 Ω.
- Corriente continua de drenaje de hasta 210 A.
- Alta disipación térmica (230 W).
- Conmutación rápida con mínima pérdida de energía.
- Compatible con controladores lógicos estándar.
Aplicaciones comunes:
- Convertidores DC-DC y fuentes de alimentación de alta potencia.
- Controladores de motores DC y BLDC.
- Sistemas de automatización y robótica.
- Inversores y etapas de potencia industriales.
- Equipos de gestión de energía y control de baterías.
Características técnicas:
- Tipo de FET: MOSFET
- Polaridad: N-Canal
- Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
- Corriente continua de drenaje (Id): 210 A
- Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20 V
- Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.0028 Ω
- Carga de compuerta (Qg): 209 nC
- Potencia disipada (Pd): 230 W
- Tipo de encapsulado: TO-220 o equivalente
Hoja de datos:IRF3703
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