Transistor MOSFET FTP23N10A N-Channel 100V 57A

El Transistor MOSFET FTP23N10A es un dispositivo de potencia canal N diseñado para ofrecer conmutación rápida, baja pérdida y alta eficiencia en aplicaciones electrónicas de potencia media y alta corriente. Con una tensión drenaje-fuente (Vds) máxima de 100V y una corriente continua de drenaje (Id) de 57A, este MOSFET proporciona un excelente equilibrio entre capacidad de corriente y estabilidad térmica.

Su baja resistencia RDS(on) de 0.023Ω reduce las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia energética del circuito. El FTP23N10A incorpora una carga de compuerta (Qg) de 114nC y un tiempo de elevación (tr) de 30ns, lo que permite conmutaciones precisas y rápidas, ideales para sistemas de control PWM, inversores y fuentes conmutadas (SMPS).

Este dispositivo soporta una tensión compuerta-fuente (Vgs) de ±20V y una disipación máxima de potencia (Pd) de 200W, asegurando un funcionamiento confiable bajo condiciones exigentes. Su temperatura operativa máxima (Tj) de 175°C y el encapsulado TO-220 le otorgan una excelente capacidad térmica, facilitando su montaje en disipadores y circuitos de alta densidad.

El Transistor MOSFET FTP23N10A se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación, controladores de motores, convertidores DC-DC, inversores y amplificadores de potencia, gracias a su desempeño estable y su diseño optimizado para conmutación de alta velocidad.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET FTP23N10A:

• Alta corriente de drenaje: 57A continuo.
• Baja resistencia RDS(on): 0.023Ω para menor pérdida de potencia.
• Tensión drenaje-fuente de 100V.
• Rápido tiempo de conmutación (tr = 30ns).
• Alta disipación de potencia: 200W.
• Alta temperatura de operación hasta 175°C.
• Encapsulado TO-220 de montaje estándar.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Controladores y drivers de motores DC.
• Inversores y convertidores DC-DC.
• Amplificadores de potencia clase D.
• Sistemas de control industrial y automotriz.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: MOSFET Canal N
• Referencia: FTP23N10A
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V
• Corriente continua de drenaje (Id): 57A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
• Tensión umbral Vgs(th): 4V
• Resistencia RDS(on): 0.023Ω
• Carga de compuerta (Qg): 114nC
• Tiempo de elevación (tr): 30ns
• Capacitancia de drenaje-sustrato (Cd): 620pF
• Disipación total (Pd): 200W
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175°C
• Encapsulado: TO-220

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