Transistor MOSFET Canal N IRF1010E 60V 84A TO-220

El IRF1010E es un MOSFET de potencia de canal N desarrollado con la tecnología HEXFET® de International Rectifier (actualmente Infineon), optimizada para ofrecer una combinación de baja resistencia de conducción, alta capacidad de corriente y rápida velocidad de conmutación. Estas características permiten mejorar la eficiencia energética y reducir la generación de calor en aplicaciones de potencia.

El dispositivo incorpora una estructura robusta con capacidad de avalancha (Avalanche Rated), alta inmunidad al dv/dt y un rango de temperatura de operación de hasta 175 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones industriales y automotrices de alta exigencia. Su encapsulado TO-220 proporciona una excelente disipación térmica y facilita el montaje sobre disipadores de calor cuando se requiere manejar altas corrientes.

El IRF1010E es ampliamente utilizado en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS), inversores, convertidores DC-DC, controladores PWM, motores DC, sistemas UPS, iluminación LED de potencia, cargadores de baterías y equipos electrónicos industriales donde se requiere un MOSFET de alto rendimiento y confiabilidad.

Funciones destacadas

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología HEXFET®.
• Voltaje drenador-fuente de 60 V.
• Corriente continua de hasta 84 A.
• Baja resistencia RDS(on) de 12 mΩ.
• Alta velocidad de conmutación.
• Totalmente avalancha (Fully Avalanche Rated).
• Excelente capacidad de disipación térmica.
• Encapsulado TO-220.
• Ideal para aplicaciones de alta potencia.

Usos comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Convertidores DC-DC.
• Inversores.
• Controladores de motores DC.
• Sistemas UPS.
• Control PWM.
• Iluminación LED de potencia.
• Cargadores de baterías.
• Equipos industriales.
• Electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: IRF1010E.
• Tipo: MOSFET de canal N.
• Tecnología: HEXFET®.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 60 V.
• Corriente continua de drenador (ID): 84 A.
• Corriente pulsada (IDM): 330 A.
• Resistencia RDS(on): 12 mΩ máx. (VGS = 10 V).
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 V.
• Potencia máxima de disipación: 170 W.
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C.
• Encapsulado: TO-220AB.
• Montaje: Through Hole (THT).

Datasheet

IRF1010E HEXFET® Power MOSFET – Infineon Technologies.

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