Transistor MOSFET Canal N 2N06L64 60V 35A TO-252

El 2N06L64 es un MOSFET de potencia de canal N fabricado con tecnología Trench MOSFET, optimizada para ofrecer una baja resistencia de conducción, alta capacidad de corriente y excelente desempeño térmico. Estas características lo convierten en una solución ideal para fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, controladores de motores y aplicaciones de conmutación de alta eficiencia.

Gracias a su RDS(on) típica de 25 mΩ con una excitación de compuerta de 10 V, el dispositivo minimiza las pérdidas de potencia y el calentamiento durante la operación. Además, admite accionamiento con niveles lógicos, facilitando su control mediante microcontroladores y circuitos digitales en numerosas aplicaciones electrónicas.

El encapsulado TO-252 (DPAK) proporciona una excelente disipación térmica y permite su integración en diseños compactos mediante tecnología de montaje superficial. El 2N06L64 es ampliamente utilizado en cargadores, fuentes conmutadas, controladores PWM, iluminación LED, equipos industriales, electrónica automotriz y sistemas de alimentación de alta eficiencia.

Funciones destacadas

• MOSFET de potencia de canal N.
• Tecnología Trench MOSFET.
• Voltaje drenador-fuente de 60 V.
• Corriente continua de hasta 35 A.
• Baja resistencia RDS(on).
• Compatible con accionamiento de nivel lógico.
• Alta velocidad de conmutación.
• Excelente disipación térmica.
• Encapsulado TO-252 (DPAK).
• Compatible con montaje superficial (SMD).

Usos comunes

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Convertidores DC-DC.
• Controladores de motores DC.
• Reguladores de voltaje.
• Control PWM.
• Iluminación LED.
• Sistemas automotrices.
• Equipos industriales.
• Inversores.
• Electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2N06L64.
• Tipo: MOSFET de canal N.
• Voltaje drenador-fuente (VDS): 60 V.
• Corriente continua de drenador (ID): 35 A.
• Corriente pulsada (IDM): 100 A.
• Resistencia RDS(on): 25 mΩ típ. (VGS = 10 V).
• Voltaje compuerta-fuente (VGS): ±20 V.
• Potencia máxima de disipación: 100 W.
• Temperatura de operación: -55 °C a +175 °C.
• Encapsulado: TO-252 (DPAK).
• Montaje: SMD.

Datasheet

2N06L64 – N-Channel 60 V Power MOSFET – Datasheet.

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