Transistor MOSFET 2N7000 60V 0.35A TO-92 Paquete X10

El Transistor MOSFET 2N7000 es un transistor de canal N de propósito general diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de baja potencia. Su capacidad para operar con tensiones de drenaje-fuente (Vds) de hasta 60V y corrientes de 0.35A lo hace una opción versátil en circuitos digitales, analógicos y de control.

Con una resistencia RDS(on) de 5Ω y una carga de compuerta (Qg) de solo 1.4nC, el Transistor MOSFET 2N7000 ofrece una conmutación rápida y eficiente, con un tiempo de elevación (tr) de apenas 15ns, lo que mejora la respuesta del circuito y minimiza pérdidas de energía. Además, su tensión de umbral (Vgs(th)) de 3V permite su accionamiento directo mediante microcontroladores o señales lógicas de bajo voltaje.

Este MOSFET disipa hasta 1W de potencia total y puede operar en un rango de temperatura de -55°C a +150°C, garantizando estabilidad y fiabilidad en condiciones variables. Su encapsulado TO-92 facilita el montaje en placas de circuito impreso y protoboards, siendo ideal tanto para desarrollo como para producción.

El Transistor MOSFET 2N7000, presentado en paquete X10, es ampliamente usado en circuitos de conmutación, control de cargas pequeñas, etapas de amplificación, y sistemas embebidos, donde la eficiencia y el tamaño compacto son prioritarios.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET 2N7000:

• Canal N con conmutación rápida y eficiente.
• Soporta hasta 60V y 0.35A de corriente.
• Baja carga de compuerta para control lógico directo.
• Alta velocidad de conmutación (tr = 15ns).
• Ideal para controladores de bajo consumo y amplificadores.
• Encapsulado TO-92 de fácil integración.
• Operación confiable hasta 150°C.

Aplicaciones comunes:

• Control de cargas pequeñas en sistemas embebidos.
• Etapas de conmutación digital y analógica.
• Amplificadores de baja potencia.
• Proyectos de robótica, sensores y controladores lógicos.
• Prototipos en placas de desarrollo o breadboards.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET canal N
• Polaridad: N
• Encapsulado: TO-92
• Disipación total (Pd): 1W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 60V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±18V
• Corriente de drenaje (Id): 0.35A
• Tensión umbral (Vgs(th)): 3V
• Carga de compuerta (Qg): 1.4nC
• Tiempo de elevación (tr): 15ns
• Capacitancia drenaje-sustrato (Cd): 20pF
• Resistencia RDS(on): 5Ω
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150°C

Hoja de datos: Hoja de datos

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