Transistor IGBT MGD623S
$ 2.3
Transistor IGBT MGD623S con un VCE= 600V e IC= 50V
3 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad – Transistor IGBT MGD623S
Características:
- Tipo de transistor: IGBT
- Polaridad de transistor: N-Channel
- Máxima potencia disipada (Pc), W: 150
- Tensión máxima colector-emisor Vce, V: 600
- Tensión máxima puerta-emisor Vge, V: 30
- Colector de Corriente Continua a 25℃ Ic, A: 50
- Voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat), typ, V: 1.8
- Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
- Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
- Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 150pf
- Paquete / Cubierta: TO3P
Salida de pines:
Hoja de datos:
Aplicaciones:
- Inducción magnética.
- Conmutación de inversión de resonancia de corriente.
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