Transistor Darlington NPN 2SD1071 450V 6A TO-220

El 2SD1071 es un transistor Darlington NPN de silicio fabricado mediante tecnología de difusión triple (Triple Diffused Planar), lo que le proporciona una alta ganancia de corriente (hFE), baja tensión de saturación y excelente confiabilidad en aplicaciones de potencia. Está diseñado para trabajar en sistemas de alta tensión donde se requiere un transistor robusto con elevada capacidad de amplificación.

Este dispositivo incorpora un diodo Zener interno entre base y emisor que protege la unión frente a sobretensiones, aumentando la confiabilidad del circuito. Gracias a su encapsulado TO-220, ofrece una adecuada disipación térmica y puede instalarse sobre disipadores para trabajar con cargas de mayor potencia.

El 2SD1071 se utiliza ampliamente en amplificadores de audio de alta potencia, controladores de motores DC, accionamiento de relés y solenoides, fuentes de alimentación y aplicaciones industriales donde se requiere alta ganancia de corriente y operación con tensiones elevadas.

Funciones destacadas

• Transistor Darlington NPN de potencia.
• Voltaje colector-base de 450 V.
• Corriente continua de colector de 6 A.
• Alta ganancia de corriente (Ultra High hFE).
• Baja tensión de saturación.
• Diodo Zener interno de protección.
• Alta confiabilidad.
• Encapsulado TO-220.
• Excelente disipación térmica.
• Ideal para aplicaciones de alta tensión.

Usos comunes

• Amplificadores de audio.
• Controladores de motores.
• Accionamiento de relés.
• Accionamiento de solenoides.
• Fuentes de alimentación.
• Equipos industriales.
• Sistemas de automatización.
• Conmutación de cargas.
• Electrónica de potencia.
• Proyectos de reparación electrónica.

Características técnicas

• Modelo: 2SD1071.
• Tipo: Transistor Darlington NPN.
• Material: Silicio.
• Voltaje colector-base (VCBO): 450 V.
• Voltaje colector-emisor (VCEO): 300 V (450 V en algunas versiones del fabricante).
• Voltaje emisor-base (VEBO): 6 V.
• Corriente máxima de colector (IC): 6 A.
• Corriente máxima de base (IB): 2.5 A.
• Ganancia de corriente (hFE): 500 típ. (alta ganancia).
• Potencia máxima de disipación: 40 W.
• Temperatura de operación: Hasta +150 °C.
• Encapsulado: TO-220.
• Protección: Diodo Zener interno Base-Emisor.

Datasheet

2SD1071 – Silicon NPN Darlington Power Transistor Datasheet.

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