Transistor MOSFET 2SJ349 Canal P 60 V 20 A TO-220NIS

El MOSFET 2SJ349 de canal P es un semiconductor de potencia de modo de enriquecimiento diseñado para aplicaciones que requieren conmutación eficiente. Presenta una tensión máxima drenador-fuente de −60 V, una corriente continua máxima de −20 A y una tensión compuerta-fuente de ±20 V. Su resistencia de conducción típica es de 33 mΩ, y está diseñado para funcionar con accionamiento de compuerta de 4 V en aplicaciones apropiadas. Para alcanzar las condiciones de resistencia especificadas en la hoja de datos, deben respetarse los parámetros de prueba correspondientes.

Este componente puede utilizarse en convertidores DC-DC, circuitos de accionamiento de relés, control de motores y otras etapas de conmutación de potencia. Su encapsulado original TO-220NIS dispone de tres terminales y está destinado al montaje a través de orificios. El modelo original de Toshiba figura como próximo a finalizar su producción, por lo que conviene comprobar la disponibilidad, el fabricante y la autenticidad de la pieza antes de adquirirla.

Características destacadas del MOSFET 2SJ349

• Transistor MOSFET de potencia de canal P.
• Tensión máxima drenador-fuente: −60 V.
• Corriente continua máxima de drenador: −20 A, según las condiciones térmicas especificadas.
• Corriente pulsada máxima: −80 A bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica: 33 mΩ.
• Tensión compuerta-fuente máxima: ±20 V.
• Diseñado para conmutación de alta velocidad y alta corriente.
• Encapsulado TO-220NIS de tres terminales.

Usos comunes en electrónica

• Convertidores DC-DC.
• Circuitos de accionamiento de relés y solenoides.
• Control de motores eléctricos.
• Etapas de conmutación de potencia.
• Fuentes de alimentación y sistemas de control electrónico compatibles.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.
• Prototipos de electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ349.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: P.
• Fabricante original: Toshiba.
• Modo de operación: Enriquecimiento.
• Tensión drenador-fuente (VDSS): −60 V.
• Tensión drenador-compuerta (VDGR): −60 V.
• Tensión compuerta-fuente (VGSS): ±20 V.
• Corriente continua de drenador (ID): −20 A.
• Corriente pulsada de drenador (IDP): −80 A, bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica (RDS(on)): 33 mΩ.
• Disipación máxima de potencia: 45 W con la carcasa a Tc = 25 °C, según la hoja de datos consultada.
• Energía de avalancha de pulso único (EAS): 800 mJ, bajo las condiciones de ensayo del fabricante.
• Corriente de avalancha (IAR): −20 A, según las condiciones especificadas.
• Temperatura máxima del canal: 150 °C.
• Rango de temperatura de almacenamiento: −55 °C a +150 °C.
• Resistencia térmica canal-carcasa: 2,78 °C/W.
• Encapsulado: TO-220NIS.
• Número de terminales: 3.
• Distribución de terminales: Consultar el diagrama del encapsulado en la hoja de datos.
• Aplicaciones principales: Convertidores DC-DC, accionamiento de relés y control de motores.
• Estado comercial: Modelo original con producción en fase de finalización.

Datasheet:

–2SJ349–

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