Transistor 2N5457 JFET Canal N TO-92

El Transistor 2N5457 JFET Canal N es un dispositivo semiconductor diseñado para amplificación y conmutación en aplicaciones de baja señal. Utiliza una estructura de transistor de efecto de campo de unión (JFET) con canal N, lo que permite un control de corriente preciso mediante tensión de compuerta, garantizando un rendimiento estable y lineal en circuitos analógicos y de audio.

Gracias a su bajo nivel de ruido y alta impedancia de entrada, el 2N5457 se emplea ampliamente en preamplificadores, etapas de entrada de instrumentos musicales, sensores y sistemas de medición. Su encapsulado TO-92 facilita el montaje en placas de circuito impreso y su integración en proyectos electrónicos compactos.

El transistor soporta un voltaje drenador-fuente (Vds) máximo de 25 V, un voltaje drenador-compuerta (Vdg) máximo de 25 V y una corriente drenador (Id) máxima de 10 mA. Además, maneja una potencia máxima disipada de 310 mW, permitiendo operación confiable en rangos amplios de temperatura, desde –65 °C hasta 150 °C.

El Transistor 2N5457 JFET Canal N destaca por su estabilidad térmica, rápida respuesta y baja distorsión, lo que lo convierte en una opción ideal para diseñadores de circuitos analógicos que requieren precisión y fiabilidad.

Funciones destacadas del Transistor 2N5457 JFET Canal N:

• Alta impedancia de entrada y baja corriente de fuga.
• Excelente linealidad y bajo nivel de ruido.
• Amplificación precisa en señales analógicas.
• Estabilidad térmica y operación en amplio rango de temperatura.
• Encapsulado TO-92 fácil de montar en PCB.

Aplicaciones comunes:

• Amplificadores de audio y preamplificadores de instrumentos.
• Conmutadores analógicos y controladores de señal.
• Circuitos de medición y sensado.
• Etapas de entrada en sistemas electrónicos de precisión.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: JFET Canal N
• Modelo: 2N5457
• Encapsulado: TO-92
• Polaridad: Canal N
• Voltaje drenador-fuente máximo (Vds): 25 V
• Voltaje drenador-compuerta máximo (Vdg): 25 V
• Corriente drenador máxima (Id): 10 mA
• Potencia máxima disipada: 310 mW
• Temperatura de trabajo: –65 °C a 150 °C

Hoja de datos:Hoja de datos 2N5457

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