Sensor Óptico Reflectivo Infrarrojo QRD1114 IR

El Sensor óptico reflectivo QRD1114 IR es un dispositivo compacto diseñado para detectar objetos o cambios de superficie mediante un método de sensado reflectivo. Opera con un voltaje de alimentación de 5V DC y cuenta con un emisor infrarrojo de 940 nm, lo que le permite trabajar con precisión en entornos electrónicos y robóticos.

Este sensor utiliza un fototransistor como tipo de salida, lo que asegura una respuesta rápida y fiable frente a variaciones en la reflexión de la luz infrarroja. Su distancia de sensado es de 6 mm, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones de detección de proximidad, conteo de objetos o seguimiento de líneas en robots móviles.

El Sensor óptico reflectivo QRD1114 IR está diseñado para trabajar en condiciones exigentes, con un rango de temperatura de operación entre -40°C y 85°C, asegurando su rendimiento en diversas aplicaciones industriales y de prototipado. Su formato compacto facilita la integración en proyectos técnicos, permitiendo soluciones creativas y eficientes.

Este sensor es altamente utilizado en proyectos de robótica, automatización y diseño electrónico, donde la detección precisa y rápida es esencial. Gracias a su fiabilidad y versatilidad, es un componente clave para mejorar la funcionalidad y eficiencia de sistemas automatizados.

Funciones destacadas del Sensor óptico reflectivo QRD1114 IR:

• Detección reflectiva infrarroja precisa.
• Operación estable a 5V DC.
• Emisor con longitud de onda de 940 nm.
• Salida mediante fototransistor para alta sensibilidad.
• Compacto y fácil de integrar en proyectos.

Aplicaciones comunes:

• Robots seguidores de línea.
• Sensado de proximidad en sistemas automáticos.
• Contadores de objetos y detectores.
• Automatización industrial y proyectos DIY.
• Sistemas de seguridad y control.

Características técnicas:

• Modelo: QRD1114
• Voltaje de operación: 5V DC
• Longitud de onda del emisor: 940 nm
• Distancia de sensado: 6 mm
• Método de sensado: Reflectivo
• Tipo de salida: Fototransistor
• Temperatura de operación: -40°C a 85°C

Hoja de datos:QRD1114

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