Paquete 10 Diodos Schottky 1N5819HW SMD SMA 40V 1A Rectificador

El Diodo Schottky 1N5819HW SMD es un componente clave en aplicaciones de rectificación y manejo de corrientes en proyectos electrónicos. Gracias a su tecnología de barrera Schottky, ofrece una baja tensión directa máxima de 450mV, lo que se traduce en mayor eficiencia energética y menor generación de calor en comparación con los diodos tradicionales.

Este paquete incluye 10 unidades en encapsulado SMA SMD, compacto y confiable para montaje superficial, facilitando la integración en placas electrónicas de alta densidad. El diodo soporta una tensión de retorno máxima de 40V y una corriente directa de 1A, con capacidad transitoria (Ifsm) de hasta 100A, lo que lo convierte en una opción robusta para aplicaciones exigentes.

El Diodo Schottky 1N5819HW SMD presenta una corriente inversa de 1000 µA y una potencia disipada de 450 mW, funcionando de forma estable en un rango de temperaturas entre -66°C y +125°C. Su eficiencia lo hace especialmente útil en fuentes de alimentación, convertidores DC-DC, rectificadores y aplicaciones de conmutación rápida.

Funciones destacadas del Diodo Schottky 1N5819HW SMD:

• Rectificador de barrera Schottky con baja caída de tensión (450mV máx).
• Encapsulado SMD tipo SMA, ideal para montaje superficial.
• Tensión de retorno máxima: 40V.
• Corriente directa de 1A y capacidad transitoria de hasta 100A.
• Corriente inversa: 1000 µA.
• Potencia disipada: 450 mW.
• Amplio rango de temperatura de operación (-66°C a +125°C).
• Peso ligero de 30 mg por unidad.

Aplicaciones comunes:

• Circuitos electrónicos de potencia.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC.
• Rectificadores de alta eficiencia.
• Protección contra polaridad inversa.
• Proyectos de robótica y automatización.

Características técnicas:

• Tipo de diodo: Schottky, rectificador de barrera.
• Encapsulado: SMA (SMD).
• Tensión inversa máxima: 40V.
• Tensión directa (VF) máxima: 450 mV.
• Corriente directa (If): 1A.
• Corriente directa transitoria (Ifsm): 100A.
• Corriente inversa: 1000 µA.
• Potencia disipada: 450 mW.
• Número de pines: 2.
• Temperatura de funcionamiento: -66°C a +125°C.
• Peso: 30 mg.

Hoja de datos:1N5819HW

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