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MOSFET de Potencia IRFP250 de Canal N

El MOSFET de Potencia IRFP250 de Canal N esta diseñado para aplicaciones de electrónica de potencia que requieren conmutación eficiente y manejo de altas corrientes. Con una clasificación de voltaje de drenaje a fuente de 200V y una corriente de drenaje continua de 30A, este dispositivo ofrece una resistencia en estado encendido (Rds(on)) de aproximadamente 0.085Ω, lo que contribuye a una baja pérdida de conducción y mayor eficiencia en los sistemas.

Disponible en el paquete TO-3P, el IRFP250 permite una mejor disipación de calor, facilitando su uso en aplicaciones que generan calor significativo durante la operación. Su capacidad para manejar pulsos de corriente elevados (hasta 130A) lo hace adecuado para aplicaciones que requieren altas capacidades de conmutación.

Características Principales MOSFET de Potencia IRFP250 de Canal N:

  • Alta Capacidad de Corriente: Soporta hasta 30A de corriente continua y picos de hasta 130A.
  • Baja Resistencia en Estado Encendido: Rds(on) de aproximadamente 0.085Ω, reduciendo pérdidas y mejorando la eficiencia.
  • Paquete TO-3P: Mejor gestión térmica y facilidad de montaje en sistemas de mayor potencia.
  • Tensión de Operación: Clasificado para 200V, adecuado para diversas aplicaciones de potencia.

Especificaciones Técnicas:

  • Tipo de Transistor: MOSFET de canal N.
  • Tensión Máxima de Drenaje a Fuente (Vds): 200V.
  • Corriente Máxima de Drenaje (Id): 30A.
  • Resistencia en Estado Encendido (Rds(on)): 0.085Ω.
  • Paquete: TO-3P.
  • Peso: Aproximadamente 5.60 gramos.

Aplicaciones Comunes:

  • Fuentes de alimentación conmutadas.
  • Amplificadores de audio de alta potencia.
  • Sistemas de conmutación de potencia en equipos industriales.
  • Convertidores de energía en sistemas fotovoltaicos.

Ventajas:

  • Eficiencia Mejorada: La baja Rds(on) reduce las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia general del sistema.
  • Capacidad de Manejo de Corriente: Soporta altas corrientes, adecuado para aplicaciones de potencia elevada.
  • Mejor Gestión Térmica: El paquete TO-3P facilita una adecuada disipación de calor, manteniendo temperaturas operativas seguras.
  • Versatilidad: Adecuado para diversas aplicaciones de electrónica de potencia que requieren alta eficiencia y confiabilidad.

Contenido del Paquete:

  • 1 x MOSFET IRFP250 en paquete TO-3P.

DataSheet: IRFP250

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