Módulo MOSFET FR120N PWM 100V 9.4A

El Módulo MOSFET FR120N es un controlador de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación rápida y control PWM en sistemas electrónicos e industriales. Este módulo combina alta eficiencia energética con una excelente capacidad de manejo de corriente, lo que lo convierte en una opción ideal para el control de motores, fuentes de alimentación, y sistemas de automatización.

Con una tensión drenaje-fuente (Vds) máxima de 100V y una corriente continua de 9.4A, el Módulo MOSFET FR120N puede controlar cargas de mediana y alta potencia con estabilidad térmica. Su baja resistencia RDS(on) de 0.21Ω minimiza las pérdidas de conducción, mejorando la eficiencia del sistema. Además, su disipación total de 48W permite un funcionamiento seguro bajo condiciones exigentes.

El dispositivo opera con una tensión compuerta-fuente (Vgs) de hasta 20V y un umbral de activación (Vgs(th)) de 4V, compatible con controladores y microcontroladores como Arduino, ESP32 o STM32. Su tiempo de elevación (tr) de 23ns asegura una conmutación rápida, adecuada para señales PWM de alta frecuencia.

El Módulo MOSFET FR120N está optimizado para montaje compacto (23mm x 16mm), facilitando su integración en prototipos o sistemas embebidos. Su capacidad de respuesta rápida y resistencia térmica lo hacen ideal para aplicaciones donde se requiere control preciso de corriente y voltaje con mínima pérdida de energía.

Funciones destacadas del Módulo MOSFET FR120N:

• Control PWM eficiente hasta 100V.
• Corriente continua de 9.4A con disipación máxima de 48W.
• Baja resistencia RDS(on) de 0.21Ω para menor pérdida térmica.
• Conmutación rápida con tiempo de elevación de 23ns.
• Compatible con controladores de 5V y 3.3V.
• Encapsulado compacto y fácil integración en proyectos electrónicos.

Aplicaciones comunes:

• Control de motores DC y ventiladores.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Convertidores DC-DC y controladores PWM.
• Automatización industrial y sistemas embebidos.
• Proyectos de robótica y control electrónico de potencia.

Características técnicas:

• Tipo: MOSFET N-Channel
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 100V
• Corriente continua de drenaje (Id): 9.4A
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20V
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 4V
• Resistencia RDS(on): 0.21Ω
• Disipación total (Pd): 48W
• Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92pF
• Tiempo de elevación (tr): 23ns
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175°C
• Dimensiones: 23mm x 16mm

Hoja de datos: Hoja de datos

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Nota: Las borneras del modulo vienen separadas, no están soldadas.