Memoria EEPROM I2C 24LC512 DIP-8 512Kbit 64Kx8

La Memoria EEPROM I2C 24LC512 es un dispositivo de almacenamiento no volátil ideal para proyectos de programación y desarrollo que requieren guardar datos de forma confiable y duradera. Con una capacidad de 512 Kbit (64K x 8) y encapsulado DIP-8, esta memoria es fácil de integrar en tarjetas electrónicas y sistemas embebidos.

Su interfaz en serie I2C es compatible con velocidades de transferencia de hasta 400 kHz (dependiendo del voltaje de operación) y hasta 1 MHz, lo que permite una comunicación rápida y eficiente entre dispositivos. Además, incluye características avanzadas como Schmitt Trigger y entradas filtradas para supresión de ruido, garantizando estabilidad en entornos electrónicos exigentes.

La Memoria EEPROM I2C 24LC512 soporta hasta 1,000,000 de ciclos de escritura y ofrece una impresionante retención de datos de hasta 200 años, lo que asegura la confiabilidad en aplicaciones críticas. Su diseño incluye un pin de protección de escritura por hardware, un búfer de escritura de 128 bytes y resistencia a descargas electrostáticas superiores a 4000V.

Gracias a su bajo consumo de energía y amplio rango de voltaje de operación (2.5V a 5.5V), este dispositivo es ideal para tarjetas de desarrollo, sistemas embebidos, almacenamiento de configuraciones, calibraciones y datos importantes en aplicaciones electrónicas.

Funciones destacadas de la Memoria EEPROM I2C 24LC512:

• Capacidad de almacenamiento: 512 Kbit (64K x 8).
• Encapsulado DIP-8 fácil de integrar.
• Interfaz serie compatible con I2C.
• Soporta frecuencias de hasta 1 MHz.
• Tiempo de escritura de página: 5 ms máx.
• Búfer de escritura de 128 bytes.
• Protección de escritura por hardware.
• Retención de datos: hasta 200 años.
• Resistencia: 1,000,000 de ciclos de escritura.
• Protección ESD superior a 4000V.

Aplicaciones comunes:

• Programación y almacenamiento de datos.
• Tarjetas de desarrollo.
• Sistemas embebidos.
• Almacenamiento de configuraciones y calibraciones.
• Aplicaciones electrónicas de bajo consumo.

Características técnicas:

• Tamaño de memoria: 512 Kbit (64K x 8).
• Encapsulado: DIP-8.
• Interfaz: I2C.
• Voltaje de operación: 2.5V a 5.5V.
• Tiempo de escritura de página: 5 ms máx.
• Frecuencia de reloj: hasta 1 MHz.
• Búfer de escritura: 128 bytes.
• Protección de escritura: Pin dedicado.
• Retención de datos: 200 años.
• Resistencia: 1,000,000 ciclos de escritura.
• Temperatura de operación: -40°C ~ 85°C.
• Protección ESD: > 4000V.

Hoja de datos:24LC512

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