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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Etiqueta: JFET

JFET

Mostrando los 8 resultados

  • Los 2N5460 son transistores JFET de canal P de silicio diseñados para aplicaciones de amplificadores de bajo nivel. además de poder implementarse en aplicaciones de propósito general, siendo diseñado principalmente para audio de bajo nivel y también aplicaciones de alta impedancia.

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  • El 2N5457 está diseñado para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. Además cuenta con una capacidad de 10mA, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.

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  • Este es un comparador dual de alta precisión y velocidad diseñado para operar en una amplia gama de voltajes alimentación  (±2.5V~±15V). Cuenta con bajas corrientes de entrada y altas ganancias.

    El colector abierto de la etapa de salida los hace compatible con la lógica transistor-transistor (TTL), así como también capaz de encender lámparas y relés a corrientes de hasta 25mA.

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  • Este es un amplificados alta precisión y velocidad diseñado para aplicaciones que requiere un ancho de banda amplio y una alta velocidad de respuesta.

    Presenta un factor de diez  en el aumento en la velocidad sobre el general sin sacrificar el rendimiento, además de compensación de frecuencia de ganancia unitaria interna, lo que simplifica considerablemente su aplicación ya que no se necesitan componentes externos para el funcionamiento.

    Ideal como inversor y, dado a que  su  tiempo de asentamiento es rápido, se puede usar como conversor A / D, oscilador, filtro activo, circuito de muestreo y retención o amplificador de propósito general.

     

     

     

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  • El amplificador operacional TLC272CDR combina una amplia gama de voltaje de compensación de entrada, alta impedancia de entrada, bajo ruido y altas velocidades de respuesta.

    Utilizan la tecnología de compuerta de silicio LinCMOS de Texas Instruments  que brinda muchas características asociadas con la tecnología bipolar sin las penalizaciones de potencia.

    Ideal para aplicaciones como la interfaz de transductores, cálculos analógicos, bloques amplificadores, filtros activos y almacenamiento en búfer de señal.

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  • Amplificadore operacional TL074CDT SMD JFET de Texas Instrument es un dispositivo  de entrada JFET de alta velocidad y bajo cunsumo que incorpora transistores bipolares y JFET de alto voltaje  combinados en un circuito integrado monolítico.

    Se caracterizan por  sus altas velocidades de respuesta, baja polarización de entrada, corrientes de compensación y bajo coeficiente de temperatura de voltaje de compensación.

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  • Amplificadore operacional TL072IDR SMD JFET de Texas Instrument es un dispositivo de bajo cunsumo ideal para aplicaciones de preamplificador de audio con alta fidelidad.

    Baja distorsión armónica total: 0,003%  con etapas de salida bipolar integradas en un solo chip de bajo ruido. Se caracterizan por su funcionamiento de alta impedancia de entrada: Etapa de entrada JFETI de 0 ° C a 70 ° C.

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  • El amplificador operacional  TLC27M2CDR combina una amplia gama de voltaje de compensación de entrada, alta impedancia de entrada, bajo ruido y altas velocidades de respuesta.

    Utilizan la tecnología de compuerta de silicio LinCMOS de Texas Instruments  que brinda muchas características asociadas con la tecnología bipolar sin las penalizaciones de potencia.

    Ideal para aplicaciones como la interfaz de transductores, cálculos analógicos, bloques amplificadores, filtros activos y almacenamiento en búfer de señal.

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