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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor SMD

  • Este MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.

    Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico

    Incluye protección contra ESD

     

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  • Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet FDN340P cuenta con una capacidad de 2A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.

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  • Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904

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  • Transistor de propósito general MMBT2907A (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT2222A

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  • Transistor de propósito general MMBT3906 (PNP) Dispositivo RoHS de empaquetado SOT-23. Como tipo complementario, se recomienda el transistor NPN MMBT3904

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  • Transistor NPN de corriente máxima en colector de 1A y de montaje superficial, eficiente en aplicaciones como switch (Corte-Saturación) y amplificador.

    Cantidad : 10 transistores MMBT2222A.

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