Transistor MOSFET 2SJ334 Canal P 60 V 30 A TO-220NIS

El MOSFET 2SJ334 de canal P es un semiconductor de potencia de modo de enriquecimiento diseñado para aplicaciones que requieren conmutación eficiente de corriente. Cuenta con una tensión máxima drenador-fuente de −60 V, una corriente continua máxima de −30 A y una tensión compuerta-fuente máxima de ±20 V. Su resistencia de conducción típica de 29 mΩ, especificada con una tensión de compuerta de −10 V, ayuda a reducir las pérdidas por conducción cuando el componente trabaja dentro de sus límites eléctricos y térmicos.

Este componente está orientado a convertidores DC-DC, circuitos de accionamiento de relés y control de motores. Su encapsulado de montaje pasante facilita la integración en placas electrónicas y permite utilizar disipación térmica externa cuando el diseño lo requiere. Antes de instalarlo o reemplazar un componente equivalente, se recomienda verificar la identificación del encapsulado, la distribución de terminales, la tensión de control y las condiciones de refrigeración. El modelo original de Toshiba figura como obsoleto en distribuidores, por lo que conviene confirmar la procedencia y autenticidad de la unidad adquirida.

Características destacadas del MOSFET 2SJ334

• Transistor MOSFET de potencia de canal P.
• Tensión máxima drenador-fuente: −60 V.
• Corriente continua máxima de drenador: −30 A, bajo las condiciones especificadas.
• Corriente pulsada máxima: −120 A, bajo condiciones de pulso específicas.
• Resistencia de conducción típica: 29 mΩ.
• Tensión compuerta-fuente máxima: ±20 V.
• Diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente.
• Adecuado para convertidores DC-DC y accionamiento de motores y relés.
• Encapsulado de montaje pasante tipo TO-220NIS, según la documentación consultada.

Usos comunes en electrónica

• Convertidores DC-DC.
• Circuitos de accionamiento de relés.
• Control de motores eléctricos.
• Etapas de conmutación de alta corriente.
• Sistemas de control de potencia.
• Reparación y mantenimiento de equipos electrónicos.
• Prototipos de electrónica de potencia.

Características técnicas

• Modelo: 2SJ334.
• Tipo: MOSFET de potencia.
• Canal: P.
• Fabricante original: Toshiba.
• Modo de operación: Enriquecimiento.
• Tensión drenador-fuente (VDSS): −60 V.
• Tensión drenador-compuerta (VDGR): −60 V.
• Tensión compuerta-fuente (VGSS): ±20 V.
• Corriente continua de drenador (ID): −30 A, según las condiciones de la hoja de datos.
• Corriente pulsada de drenador (IDP): −120 A, bajo condiciones de pulso especificadas.
• Resistencia de conducción (RDS(on)): 29 mΩ típica.
• Disipación máxima de potencia: 45 W con la carcasa a Tc = 25 °C.
• Energía de avalancha de pulso único (EAS): 936 mJ, bajo las condiciones de ensayo del fabricante.
• Temperatura máxima del canal: 150 °C.
• Encapsulado: TO-220NIS, según referencias de la hoja de datos.
• Montaje: A través de orificios.
• Aplicación principal: Conmutación de potencia, convertidores DC-DC y control de motores.
• Estado comercial: Modelo original obsoleto; verificar disponibilidad y autenticidad.

Datasheet:

-2SJ334-

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