Transistor MOSFET NCE4688 N

El Transistor MOSFET NCE4688 es un componente diseñado para aplicaciones de conmutación y control de potencia en circuitos electrónicos. Su polaridad N y tensión drenaje-fuente de 60 V permiten manejar cargas de manera segura y eficiente.

Soporta corriente continua de drenaje de 6.1A con disipación máxima de 2.5 W, lo que lo hace apto para circuitos de potencia, reguladores, controladores de motores y fuentes de alimentación. Su resistencia drenaje-fuente RDS(on) de 0.03 Ω garantiza mínima pérdida de energía, mejorando la eficiencia de los sistemas.

El NCE4688 posee tensión umbral de compuerta 2.5V, carga de compuerta de 21 nC, y tiempo de elevación de 150 nS, permitiendo conmutación rápida y precisa. La conductancia drenaje-sustrato de 90 pF asegura estabilidad en aplicaciones de alta frecuencia.

Su temperatura máxima de operación de 150°C permite uso confiable en entornos exigentes. El encapsulado SOP8 facilita la integración en PCB compactas y permite montaje superficial eficiente, ideal para prototipos y producción industrial.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET NCE4688:

• Conmutación eficiente con baja resistencia RDS(on) de 0.03 Ω.
• Corriente continua de drenaje de 6.1A y disipación máxima de 2.5 W.
• Tensión drenaje-fuente de 60V y umbral de compuerta de 2.5V.
• Alta velocidad de conmutación con tiempo de elevación 150 nS.
• Encapsulado SOP8 compacto para integración en PCB.

Aplicaciones comunes:

• Reguladores de potencia y fuentes de alimentación.
• Controladores de motores y actuadores.
• Circuitos de conmutación rápida en electrónica de consumo.
• Proyectos de automatización y robótica.
• Integración en PCB de montaje superficial (SMD).

Características técnicas:

• Modelo: NCE4688
• Tipo: MOSFET N
• Encapsulado: SOP8
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
• Corriente continua de drenaje (Id): 6.1 A
• Disipación máxima (Pd): 2.5 W
• Temperatura máxima operativa (Tj): 150 °C
• Tensión umbral compuerta-fuente (Vgs(th)): 2.5 V
• Carga de compuerta (Qg): 21 nC
• Tiempo de elevación (tr): 150 nS
• Conductancia drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
• Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.03 Ω

Hoja de datos:Hoja de datos.

Para más Transistores y MOSFET, consulte la sección Control de Potencia y Electrónica de Conmutación.