Transistor MOSFET IRF840 500V 8A TO-263 SMD

El Transistor MOSFET IRF840 es un dispositivo de canal N de alta tensión diseñado para aplicaciones de potencia, control de carga y conversión de energía. Su capacidad de soportar hasta 500V (Vds) y 8A de corriente continua (Id) lo convierte en una solución robusta para fuentes conmutadas, inversores y sistemas de control de motores.

Con una disipación máxima de 125W y una resistencia RDS(on) de solo 0.85Ω, el Transistor MOSFET IRF840 ofrece un rendimiento térmico eficiente y pérdidas mínimas durante la conducción. Su arquitectura permite operar con una tensión de compuerta (Vgs) de ±20V y un umbral de 4V, lo que facilita su control con circuitos de potencia o microcontroladores mediante etapas de acoplamiento adecuadas.

Su tiempo de elevación (tr) de 23ns y carga de compuerta (Qg) de 63nC aseguran conmutaciones rápidas, mejorando la eficiencia en aplicaciones de alta frecuencia. Además, la conductancia drenaje-sustrato (Cd) de 310pF y su diseño optimizado reducen la capacitancia parásita, favoreciendo un comportamiento estable bajo condiciones de carga dinámica.

El encapsulado TO-263 (D2PAK) permite montaje superficial (SMD) con excelente disipación de calor, ideal para diseños compactos y automatizados. Su rango térmico operativo de -55°C a +150°C garantiza fiabilidad en entornos industriales, automotrices y de control de potencia.

El Transistor MOSFET IRF840 es ampliamente empleado en fuentes de alimentación conmutadas, convertidores DC-DC, controladores de motores e inversores, donde la alta tensión y la eficiencia térmica son factores críticos.

Funciones destacadas del Transistor MOSFET IRF840:

• Canal N con capacidad de conmutación de 500V y 8A.
• Alta disipación térmica (125W).
• Baja resistencia RDS(on) de 0.85Ω para eficiencia energética.
• Conmutación rápida con tr = 23ns.
• Montaje SMD (TO-263) de perfil bajo.
• Control de compuerta ±20V, umbral 4V.
• Ideal para aplicaciones de alta frecuencia y potencia.

Aplicaciones comunes:

• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Convertidores DC-DC e inversores.
• Controladores de motores y drivers de potencia.
• Sistemas de automatización industrial.
• Equipos electrónicos de potencia y robótica.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor MOSFET canal N
• Polaridad: N
• Encapsulado: TO-263 (SMD)
• Disipación total (Pd): 125W
• Tensión drenaje-fuente (Vds): 500V
• Tensión compuerta-fuente (Vgs): ±20V
• Corriente de drenaje (Id): 8A
• Tensión umbral (Vgs(th)): 4V
• Carga de compuerta (Qg): 63nC máx.
• Tiempo de elevación (tr): 23ns
• Capacitancia drenaje-sustrato (Cd): 310pF
• Resistencia RDS(on): 0.85Ω
• Temperatura operativa máxima (Tj): 150°C

Hoja de datos: Hoja de datos

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