Transistor Mosfet IRF8010 N-Channel 100V 80A TO-220
Transistor Mosfet IRF8010 canal N de 100V y 80A. Alta eficiencia y baja Rds(on). Ideal para fuentes conmutadas, inversores y aplicaciones de potencia.
Potencia y eficiencia con el Transistor Mosfet IRF8010
El transistor Mosfet IRF8010 es un dispositivo de canal N diseñado para conmutación de alta velocidad y aplicaciones de potencia. Soporta hasta 100V y 80A, lo que lo convierte en una opción robusta para proyectos que exigen rendimiento y confiabilidad, como inversores, controladores de motores, fuentes conmutadas y equipos de energía renovable.
Gracias a su encapsulado TO-220, el IRF8010 puede ser fácilmente montado en disipadores para una eficiente disipación térmica. Su baja resistencia Rds(on) mejora el rendimiento general del circuito, reduciendo pérdidas de energía y aumentando la eficiencia.
Características técnicas del IRF8010
- Tipo: MOSFET canal N
- Voltaje drenaje-fuente (Vds): 100V
- Corriente de drenaje (Id): 80A
- Rds(on): 0.015Ω @ Vgs = 10V
- Voltaje de compuerta (Vgs): ±20V
- Encapsulado: TO-220
- Modo de montaje: THT (Through-Hole)
Aplicaciones comunes del Transistor Mosfet IRF8010
- Fuentes conmutadas (SMPS)
- Inversores de corriente y cargadores inteligentes
- Controladores de motores DC y paso a paso
- Proyectos de energía solar y baterías de litio
- Sistemas de iluminación de alta potencia
- Electrónica automotriz y de potencia industrial
Ventajas del Transistor Mosfet IRF8010
- Alta capacidad de corriente: soporta hasta 75A
- Diseño eficiente: Rds(on) muy bajo para menor pérdida de potencia
- Encapsulado TO-220: compatible con disipadores estándar
- Ideal para switching de alta velocidad
- Fácil integración en circuitos con microcontroladores y drivers MOSFET
Hoja de datos: IRF8010 Datasheet
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