Transistor MOSFET IRF510
$ 0.5
El transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.
10 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad de Transistor MOSFET IRF510
Características:
- Canal N
- Tensión drenaje – fuente 100 V
- Resistencia drenaje – fuente 0.54 Ω
- Corriente de drenaje 5.6 A
- Potencia total de disipación 43 W
- Voltaje compuerta fuente 4 V
- Temperatura de operación 175° C
- Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
- Carga de compuerta baja garantiza un manejo sencillo
- Encapsulado TO-220AB
Hoja de datos: IRS510
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