Transistor IGBT NGD8201 N-Channel TO-252

El Transistor IGBT NGD8201 es un dispositivo semiconductor de potencia tipo N-Channel que combina las ventajas de un transistor MOSFET y un transistor bipolar, ofreciendo alta eficiencia, rápida conmutación y baja pérdida térmica. Diseñado para aplicaciones de conmutación de corriente continua y alterna, este IGBT proporciona una solución confiable y estable en sistemas de control de motores, fuentes de alimentación y convertidores de energía.

Con una tensión colector-emisor máxima de 400V y una corriente de colector de hasta 20A, el Transistor IGBT NGD8201 garantiza un excelente manejo de carga en condiciones exigentes. Su bajo voltaje de saturación (Vce sat) de 1.5V reduce significativamente la disipación térmica, aumentando la eficiencia global del circuito. Además, su tensión de compuerta-emisor (Veg) de 18V permite un control seguro y estable con diversos controladores de compuerta.

El encapsulado TO-252 (DPAK) ofrece una excelente disipación térmica y facilidad de montaje superficial, optimizando el espacio en placas de circuito impreso. Su temperatura de operación máxima de 175°C garantiza fiabilidad en entornos industriales exigentes. Con una capacitancia de salida de solo 75pF, el NGD8201 proporciona tiempos de conmutación rápidos y alta eficiencia en aplicaciones de conmutación de alta frecuencia.

Gracias a su robustez y versatilidad, el Transistor IGBT NGD8201 es una opción ideal para ingenieros que buscan rendimiento, eficiencia y durabilidad en sistemas electrónicos de potencia.

Funciones destacadas del Transistor IGBT NGD8201:

• Alta eficiencia con baja pérdida por conmutación.
• Corriente máxima de colector de 20A.
• Tensión colector-emisor de hasta 400V.
• Baja saturación (1.5V) para menor disipación térmica.
• Amplio rango de temperatura operativa hasta 175°C.
• Encapsulado TO-252 de montaje superficial.

Aplicaciones comunes:

• Controladores de motores eléctricos.
• Convertidores DC-DC e inversores.
• Fuentes de alimentación conmutadas.
• Sistemas de control de potencia industrial.
• Equipos de robótica y automatización.

Características técnicas:

• Tipo de transistor: IGBT N-Channel
• Disipación total (Pc): 115 W
• Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
• Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.5 V
• Tensión emisor-compuerta (Veg): 18 V
• Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
• Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
• Capacitancia de salida (Cc): 75 pF
• Encapsulado: TO-252

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