Transistor IGBT FGH60N60S 600V 60A Canal N

El Transistor IGBT FGH60N60S es un dispositivo de potencia de canal N diseñado para ofrecer alta eficiencia, velocidad de conmutación y robustez en aplicaciones industriales y electrónicas exigentes. Su estructura híbrida combina la alta impedancia de entrada de un MOSFET con la baja pérdida por conducción de un transistor bipolar, garantizando un rendimiento superior en conversión y control de energía.

Con una tensión de colector-emisor (VCE) de 600V y una corriente nominal (IC) de 60A, el FGH60N60S está optimizado para manejar cargas de potencia considerable en sistemas de conmutación rápida. Su baja tensión de saturación (VCE(sat)) de solo 1.9V reduce las pérdidas por conducción y mejora la eficiencia térmica del sistema.

La energía de apagado (EOFF) de 7.5µJ confirma su capacidad de conmutación rápida, adecuada para fuentes conmutadas, inversores y controladores de motores. Además, su coeficiente de temperatura positivo facilita el funcionamiento en paralelo, mejorando la distribución de corriente y la confiabilidad del conjunto.

El Transistor IGBT FGH60N60S presenta una alta capacidad de corriente y una distribución de parámetros ajustada, lo que garantiza consistencia en producción y rendimiento uniforme en sistemas multinodo. Su temperatura máxima de unión (Tj) de 175°C le permite operar de manera estable en condiciones térmicas extremas.

Por su diseño avanzado y características de conmutación, el FGH60N60S es ideal para inversores, controladores de motores, fuentes de alimentación de alta potencia y sistemas de conversión energética que requieren alta eficiencia y durabilidad.

Funciones destacadas del Transistor IGBT FGH60N60S:

• Canal N con capacidad de 600V y 60A.
• Baja caída de voltaje en saturación (VCE(sat) = 1.9V).
• Conmutación rápida con EOFF = 7.5µJ.
• Alta impedancia de entrada para control sencillo.
• Coeficiente de temperatura positivo para operación en paralelo.
• Alta capacidad de corriente y rendimiento térmico estable.
• Temperatura de unión máxima de 175°C.

Aplicaciones comunes:

• Inversores de energía.
• Controladores de motores industriales.
• Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS).
• Sistemas UPS y conversión DC-AC.
• Controladores de potencia y variadores de frecuencia.

Características técnicas:

• Tipo: Transistor IGBT canal N
• Referencia: FGH60N60S
• Voltaje colector-emisor (VCE): 600V
• Corriente continua (IC): 60A
• VCE(sat): 1.9V
• Energía de apagado (EOFF): 7.5µJ
• Temperatura máxima de unión (Tj): 175°C
• Coeficiente de temperatura: positivo
• Impedancia de entrada: alta
• Capacidad de corriente: alta
• Distribución de parámetros: ajustada

Hoja de datos: Hoja de datos

Para más Transistores IGBT y Dispositivos de Potencia, consulte la sección Transistores