Transistor Bipolar 2SA1943 (BJT) PNP
$ 3.8
2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.
Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.
Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.
7 disponibles
Cantidad:
• 1 Unidad – Transistor Bipolar 2SA1943 (BJT) PNP
Características:
- Fabricante: Toshiba
- Categoría : Transistor Bipolar (BJT)
- Empaquetado: Through Hole TO-3P-3
- Polaridad del transistor: PNP
- Configuración: Simple
- Máx voltaje VCEO colector-emisor: -230V
- Tensión VCBO colector- base: -230V
- Voltaje VEBO emisor-base: -5V
- Voltaje de saturación colector-emisor: -1.5V
- Corriente CC máxima de colector : -15ª
- Dp- Distancia de potencia : 150W
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 30MhZ
- Temperatura de funcionamiento: – a 150C
- Colector DC/ganancia Base hfe Mínima: 55
- Máx. ganancia de CC hfE: 160
- Dimensiones: 26mm x 20.5mm x 5.2mm
- Peso: 6,756 g
Hoja de datos:2SA1943
Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.
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Empaquetado SOIC-8
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