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Transistor Bipolar 2SA1943 (BJT) PNP

$ 4.8

2SA1943 Transistor BJT PNP es capaz de disipar hasta 150W, puede controlar dispositivos que consuman hasta 15A o que requieran tensiones de hasta 230VDC.

Su juntura es PNP, con un factor de amplificación (hFE) que varía de acuerdo a la carga a utilizar, variando entre 35 y 160.

Dispositivo diseñado para etapas de salida de sonido en amplificadores de frecuencia de audio de alta fidelidad de 100W.

6 disponibles

Cantidad:
• 1 Unidad  – Transistor Bipolar 2SA1943 (BJT) PNP

Características:

  • Fabricante: Toshiba
  • Categoría : Transistor Bipolar (BJT)
  • Empaquetado: Through Hole TO-3P-3
  • Polaridad del transistor: PNP
  • Configuración: Simple
  • Máx voltaje VCEO colector-emisor: -230V
  • Tensión VCBO colector- base: -230V
  • Voltaje VEBO emisor-base: -5V
  • Voltaje de saturación colector-emisor: -1.5V
  • Corriente CC máxima de colector : -15ª
  • Dp- Distancia de potencia : 150W
  • Producto para ganar Ancho de banda fT: 30MhZ
  • Temperatura de funcionamiento: – a 150C
  • Colector DC/ganancia Base hfe Mínima: 55
  • Máx. ganancia de CC hfE: 160
  • Dimensiones: 26mm x 20.5mm x 5.2mm
  • Peso: 6,756 g

Hoja de  datos:2SA1943

Aplicación:
• Robótica.
• Switch.
• Amplificador.

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SKU: CA-8-2SA1943 Categorías: , Etiqueta: