Transistor MOSFET IRF720
$ 0.5
Este transistor de potencia de categoría MOSFET, tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.
10 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad de Transistor MOSFET IRF740 TO 220
Características:
- Canal N
- Tensión drenaje – fuente 400 V
- Resistencia drenaje – fuente 0.54 Ω
- Corriente de drenaje 10 A
- Potencia total de disipación 134 W
- Voltaje compuerta fuente 30 V
- Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
- Carga de compuerta baja garantiza un manejo sencillo
- Encapsulado TO-220
Hoja de datos: IRF740
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