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7 años de experiencia en robótica competitiva.

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Transistor MMBT8050 NPN

$ 0.0

MMTB8050 es un transistor de silicio epitaxial de montaje en superficie NPN con baja tensión, alta intensidad y pequeña señal. El dispositivo está diseñado para amplificadores de audio y aplicaciones de uso general.

200 disponibles

Cantidad:

  • 1 unidad – transistor MOSFET IGBT SOT – 23

 

Características:

  • Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
  • Tensión colector-base (Vcb): 40 V
  • Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
  • Tensión emisor-base (Veb): 6 V
  • Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
  • Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
  • Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
  • Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

 

Hoja de datos: mmbt8050

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SKU: C3-C-8-B Categoría: Etiquetas: , ,