Transistor MMBT8050 NPN
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MMTB8050 es un transistor de silicio epitaxial de montaje en superficie NPN con baja tensión, alta intensidad y pequeña señal. El dispositivo está diseñado para amplificadores de audio y aplicaciones de uso general.
200 disponibles
Cantidad:
- 1 unidad – transistor MOSFET IGBT SOT – 23
Características:
- Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
- Tensión colector-base (Vcb): 40 V
- Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
- Tensión emisor-base (Veb): 6 V
- Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
- Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Hoja de datos: mmbt8050
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