Resultados de la búsqueda: transistor smd
Mostrando los 53 resultados
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Transistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.
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Transistor Mosfet M3056 SMD de canal N de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON
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Transistor 3904 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 3904 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor A92 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor A92 SMD, es un transistor PNP de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor 5551 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 5551 SMD, es un transistor NPN de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor 5401 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 5401 SMD, es un transistor 2L bipolar de silicio. Transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor 2222 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 2222 SMD, es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general, sirve para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; se puede implementar en amplificadores de sonido, construir puentes H, variar la velocidad de motores pequeños e intensidad de led.
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Transistor 3906 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor 3906 SMD, es un transistor Superficial PNP con corriente de colector máxima de -200 mA, voltaje colector-emisor máximo de -40 V. Sus aplicaciones más comunes son como switch y amplificador. Viene en un empaque SOT23.
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Transistor A42 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor A42 SMD, es un transistor NPN de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor C1815 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl C1815 es un transistor bipolar NPN de propósito general con una tensión máxima de 60 V y una corriente máxima de 150 mA. El dispositivo está diseñado para aplicaciones de amplificador de propósito general de audiofrecuencia.
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Transistor A1015 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor A1015 SMD, es un transistor PNP de propósito general con alto voltaje y alta corriente. Diseñado para aplicaciones generales.
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Transistor S8550 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S8550 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S8050 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S8050 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, puede ser utilizado como interruptor o switch, como oscilador para generar señales, etc. Podemos encontrarlo en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor C945 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor C945 es un de unión bipolar NPN usado principalmente para circuitos amplificadores de audio y circuitos de conmutación de baja velocidad. Encontrándose en etapas preamplificadoras, tonos, biomédica, entre otros.
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Transistor A733 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl A733 es un transistor PNP de pequeña señal y puede ser usado como conmutador o amplificador
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Transistor S9018 SMD
$ 0.2Añadir al carritoTransistor S9018 J8 bipolar epitaxial de silicio. Transistor diseñado como amplificador AM / FM, oscilador local de FM / VHF Tune. High Current Gain Bandwidth Product fT=1.1 GHz (Typ) con una alta ganancia de ancho de banda.
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Transistor S9015 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9015 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Preamplificador, bajo nivel y bajo nivel de ruido. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, como interruptor, switch u oscilador para generar señales. Utilizado en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S9014 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9014 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Preamplificador, bajo nivel y bajo nivel de ruido. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, como interruptor, switch u oscilador para generar señales. Utilizado en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S9013 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9013 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Alta corriente de colector. Excelente linealidad hFE. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general. Para aplicaciones de conmutación y amplificador de alta frecuencia AF. Puede ser utilizado como amplificador de pequeñas señales, como interruptor, switch u oscilador para generar señales. Utilizado en una gran variedad de dispositivos.
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Transistor S9012 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl transistor S9012 SMD, es un transistor de propósito general adecuado para su uso aplicaciones de control de baja potencia. Alta corriente de colector. Excelente linealidad hFE. Este dispositivo está diseñado como un amplificador e interruptor de uso general.
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Buck síncrono de alta frecuencia, funciona como convertidor para potencia en procesadores de computadora, sistema de CC-CC aislada de alta frecuencia y cuenta con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
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Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Reductor síncrono de alta frecuencia Convertidores para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como CC-CC aislada de alta frecuencia con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
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Convertidores reductores síncronos de alta frecuencia para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como convertidor CC-CC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial
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Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de 175 °C, máxima disipación de potencia 140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.
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Este dispositivo semiconductor es un transistor bipolar de juntura NPN. Su encapsulado es el SOT-23, con estructura de plástico con tres terminales (pines).
Cantidad: 10 transistores 2N2222A.
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Transistor Mosfet IRF840 es un dispositivo electronico de canal N de montaje superficial con un encapsulado SOT263. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de alta potencia.
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Kit Surtido de 180 transistores (SOT-23) SMD con 18 tipos diferentes de transistores
Encapsulado: SOT-23
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Este optoacoplador se utiliza para impulsar los IGBT y MOSFET de potencia utilizados en los inversores de control de motores.
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Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados de alta eficiencia.
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Las aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.
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El PT26-51B/TR8 es un fototransistor SMD con una estructura negra con un acabado esférico especialmente diseñado para detectar las señales infrarojas de un diodo emisor.
El IR26-51C/L110/TR8 es un emisor infrarojo SMD con una estructura plástica transparente , el dispositivo debe ser emparejado con el PT26-51B/TR8.
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Transistor IGBT NGD8201
$ 0.9Añadir al carritoEl Transistor IGBT NGD8201 es un transistor bipolar SMD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor), es un dispositivo de canal N semiconductor que posee características de señales de efecto de campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación. Este transistor cuenta con un encapsulado de TO-252 , soporta un voltaje VCEO colector-emisor de hasta 400V.
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El IGBT FGH60N60S es un transistor de canal N utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas en inversores, UPS, soldadores, rectificación, fuentes de conmutación de alta frecuencia entre otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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El transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.
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Transistor Mosfet AO4606
$ 0.6Añadir al carritoEl transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .
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Optoacoplador PC817 SMD
$ 0.2Añadir al carritoEl PC817 SMD contiene un diodo emisor de luz acoplado ópticamente a un fototransistor.
El voltaje de aislamiento de entrada-salida es de 5000 Vrms, el tiempo de respuesta, tr, es típicamente de 4 μs y el CTR mínimo es del 50% a la corriente de entrada de 5 mA
Encapsulado SMD -4
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Transistor MMBTA92 PNP SMD encapsulado SOT-23 en miniatura para circuitos de montaje en superficie
El tipo complementario NPN es MMBTA42
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Amplificador operacional OP07 SMD cuenta con operacionales cuádruples de entrada JFET de alta velocidad que incorporan transistores bipolares y JFET de alto voltaje en un circuito integrado monolítico. Corrientes de compensación y coeficiente de temperatura de voltaje de compensación bajo.
Ideal como amplificador transductor, bloques de ganancia de Corriente Continua y todos los circuitos amplificadores operacionales convencionales.
Encapsulado SOIC-8
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Amplificador operacional TL081 SMD cuenta con operacionales cuádruples de entrada JFET de alta velocidad que incorporan transistores bipolares y JFET de alto voltaje en un circuito integrado monolítico. Corrientes de compensación y coeficiente de temperatura de voltaje de compensación bajo.
Ideal como amplificador transductor, bloques de ganancia de Corriente Continua y todos los circuitos amplificadores operacionales convencionales.
Encapsulado SOIC-8
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Amplificador operacional TL082 SMD cuenta con operacionales cuádruples de entrada JFET de alta velocidad que incorporan transistores bipolares y JFET de alto voltaje en un circuito integrado monolítico. Corrientes de compensación y coeficiente de temperatura de voltaje de compensación bajo.
Ideal como amplificador transductor, bloques de ganancia de Corriente Continua y todos los circuitos amplificadores operacionales convencionales.
Encapsulado SOIC-8
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Amplificador operacional TL084 SMD cuenta con operacionales cuádruples de entrada JFET de alta velocidad que incorporan transistores bipolares y JFET de alto voltaje en un circuito integrado monolítico. Corrientes de compensación y coeficiente de temperatura de voltaje de compensación bajo.
Ideal como amplificador transductor, bloques de ganancia de Corriente Continua y todos los circuitos amplificadores operacionales convencionales.
Encapsulado SOIC-14
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Optoacoplador 4n25 SMD
$ 0.7Añadir al carritoOptoacoplador 4n25 SMD consta de un LED infrarrojo de arseniuro de galio y un fototransistor NPN de silicio.
En un paquete SOP-6 y Tensión directa: 1.15V
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Driver ULN2803A SMD
$ 1.6Añadir al carritoEl Driver ULN2803A es un arreglo de transistores Darlington de alta tensión y alta corriente, consta de ocho pares NPN con salidas de alto voltaje con diodos de sujeción de cátodo común para conmutar cargas inductivas.
La clasificación de corriente del colector de un solo par Darlington es de 500 mA. Los pares Darlington se pueden conectar en paralelo para mayor capacidad de corriente.
Encapsulado: SOP18
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MOSFET P DMP1045U-7 SMD
$ 0.3Leer másEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
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MOSFET P Pmv48xp SMD
$ 0.5Añadir al carritoEste MOSFET de nueva generación está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS (ON)) mientras mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
Ideal para convertidores DC-DC, funciones de administración de energía o como interruptor analógico
Incluye protección contra ESD
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Optoacoplador H11AA1 SMD
$ 0.6Añadir al carritoOptoacoplador H11AA1 SMD con dos diodos emisores de infrarrojos conectados en paralelo inverso que impulsan una única salida de fototransistor NPN.
Corriente directa: 60mA y Voltaje de aislamiento: 7500V
Encapsulado SMD -6
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Este es un comparador dual de alta precisión y velocidad diseñado para operar en una amplia gama de voltajes alimentación (±2.5V~±15V). Cuenta con bajas corrientes de entrada y altas ganancias.
El colector abierto de la etapa de salida los hace compatible con la lógica transistor-transistor (TTL), así como también capaz de encender lámparas y relés a corrientes de hasta 25mA.
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Amplificadore operacional TL074CDT SMD JFET de Texas Instrument es un dispositivo de entrada JFET de alta velocidad y bajo cunsumo que incorpora transistores bipolares y JFET de alto voltaje combinados en un circuito integrado monolítico.
Se caracterizan por sus altas velocidades de respuesta, baja polarización de entrada, corrientes de compensación y bajo coeficiente de temperatura de voltaje de compensación.
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Estos dispositivos consisten en dos diodos emisores de infrarrojos de arseniuro de galio acoplados ópticamente a dos detectores monolíticos de fototransistores de silicio, en un paquete de plástico que se puede montar en la superficie y que es smalloutline. Son ideales para aplicaciones de alta densidad y eliminan la necesidad de montaje en el tablero.
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El L6205 es un DMOS Dual Full Bridge diseñado para aplicaciones de control de motor, realizado en tecnología MultiPower-BCD, combina transistores de potencia DMOS aislados con CMOS y circuitos bipolares en el mismo chip.
Disponible en empaquetado SO-20, el L6205 cuenta con una protección no disipativa de los MOSFET de potencia del lado alto y apagado térmico.
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Estos transistores están diseñados para uso en aplicaciones como fuentes de alimentación conmutadas, conversores DC a DC, controladores de motor PWM, circuitos de puente y aplicaciones de conmutación de uso general. El Mosfet FDN340P cuenta con una capacidad de 2A, baja capacitancia de entrada y carga de puerta, baja resistencia de entrada de puerta.