Transistor Mosfet IRFR5410
$ 0.4
El transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.
5 disponibles
Caracteristicas:
- Disipación total del dispositivo (Pd): 66 W
- Tensión drenaje-fuente |Vds|: 100 V
- Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V
- Corriente continua de drenaje |Id|: 13 A
- Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
- Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V
- Carga de compuerta (Qg): 58(max) nC
- Tiempo de elevación (tr): 58 nS
- Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 260 pF
- Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.205 Ohm
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