Envíos a todo Colombia - Envios Internacionales por DHL Express a todo el mundo - Whatsapp 573125756514

7 años de experiencia en robótica competitiva.

7 años de experiencia en robótica competitiva.

Etiqueta: Mosfet

Mosfet

Mostrando 1–60 de 68 resultados

  • El transistor IRFB3607  de canal N único de 75 V en un encapsulado TO-220, de la familia de MOSFET de potencia está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.

    Añadir al carrito
  • El transistor IRFB4310 de potencia de canal N, único de 100 V en un paquete TO-220 de la familia de MOSFET está optimizado para R DS (encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de CC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de CC-CC.

    Añadir al carrito
  • El transistor IRFB3006 de la familia de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia cartera de dispositivos para admitir diversas aplicaciones, como motores de DC, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga y aplicaciones alimentadas por baterías. Los dispositivos están disponibles en una variedad de paquetes de montaje en superficie y de orificio pasante con dimensiones estándar de la industria para facilitar el diseño. Las opciones optimizadas de accionamiento de compuerta permiten a los diseñadores la flexibilidad de seleccionar accionamientos de nivel súper, lógico o normal

    Añadir al carrito
  • El transistor IRFB3306  de canal N único de 60 V en un encapsulado TO-220 de la familia de MOSFET de potencia  está optimizado para RDS(encendido) bajo y capacidad de corriente alta. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores de DC, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores de DC-DC.

    Añadir al carrito
  • Transistor MOSFET IRFB4110 de canal N, resistencia de encendido de fuente de drenaje estático: RDS(encendido) 4,5m Modo de mejora velocidad de conmutación rápida 100% probado en avalancha variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento robusto del dispositivo y una operación confiable, dispositivo confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • Este MOSFET de potencia de canal N, con una estructura de compuerta de zanja mejorada que da como resultado una resistencia en estado encendido muy baja, al mismo tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de compuerta para una conmutación más rápida y eficiente.

    Añadir al carrito
  • El Transistor Mosfet IRFP4242 de potencia 300V 46A 430W Canal N TO-247 HEXFET Transistor de potencia MOSFET 3 pines IC MOS Efecto de campo.

    Añadir al carrito
  • Transistor Mosfet FSW25N50A, diseñado para aplicaciones como: Sistema de alimentación ininterrumpida (UPS), alimentación del paneles LCD’s e inversores DC-AC

    Añadir al carrito
  • El ransistor MOSFET IRFBC40 es un componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado son Canal N y Canal P, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles. Este transistor de efecto de campo de potencia de puerta de silicio con modo de mejora de canal N es un MOSFET de potencia avanzado diseñado, probado y garantizado para soportar un nivel específico de energía en el modo de operación de avalancha de ruptura.

    Añadir al carrito
  • Diseño específicamente para aplicaciones automotrices, tiene una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C, una velocidad de conmutación rápida.

    Añadir al carrito
  • Este MOSFET de potencia utiliza las últimas técnicas de procesamiento, cuentan con una temperatura de funcionamiento de la unión de 175°C una velocidad de conmutación rápida.

    Añadir al carrito
  • Cuenta con una velocidad de conmutación rápida y una clasificación de avalancha repetitiva mejorada, lo que hace de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • Transistor MOSFET IRF1312 de baja carga de gate a drain para reducir las pérdidas por conmutación, Capacitancia completamente caracterizada que incluye COSS eficaz para simplificar el diseño.

    Añadir al carrito
  • Transistor MOSFET IRFB3207 con robustez mejorada, capacitancia y avalancha SOA completamente caracterizadas.

    Añadir al carrito
  • Transistor mosfet MMD60R360P SMD de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión, baja resistencia de encendido.

    Añadir al carrito
  • Transistor Mosfet HY4008 Canal N es un tipo de transistor de efecto de campo (FET) que utiliza un material semiconductor de tipo N como canal conductor para controlar el flujo de corriente.

    Añadir al carrito
  • Transistor Mosfet M3056 SMD de canal N  de más alto rendimiento con una densidad de celda extremadamente alta ue proporciona un excelente RdsON

    Leer más
  • El IRFB4227PBF es un mosfet conmutador  de potencia, 200 V diseñado para sostener aplicaciones de recuperación de energía y conmutación para paneles de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas se logra una baja resistencia por área de silicio.

    Añadir al carrito
  • Transistor mosfet P75NF75 Canal N es un transistor tipo MOSFET canal N de 80A/75V.  Se usa principalmente en fuentes conmutadas, amplificadores e inversores.

    Leer más
  • Transistor mosfet IRF1404 que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175°C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y una mejor calificación avalancha repetitiva. Estas características se combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para una amplia variedad de aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • Transistor Mosfet IRFP150N

    Transistor Mosfet IRFP150N son una ventaja de combinado con la rápida velocidad de conmutación y diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para en una amplia variedad de aplicaciones. El encapsulado TO-247AC es el preferido para aplicaciones comerciales e industriales en …

    Transistor Mosfet IRFP150NLeer más

    Añadir al carrito
  • Transistor Mosfet IRFP4868

    Transistor Mosfet IRFP4868E tiene una rápida velocidad de conmutación y el diseño robusto por el que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • Convertidor DC/DC reductor PWM de frecuencia fija de 180 KHz, capaz de impulsar una carga de 8 A con alta eficiencia, baja ondulación y excelente regulación de línea y carga.

    Añadir al carrito
  • Transistor Mosfet FTP11N60C con polaridad de canal N, una tensión de drenaje de 600V con una corriente de 11A y una tensión de compuerta de -30V, +30V.

    Encapsulado: TO-220-3

    Añadir al carrito
  • Mosfet STN4NF20L

    Este canal N de 200 V realizado con proceso STripFET™ exclusivo de STMicroelectronics ha sido diseñado específicamente para minimizar la de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es como interruptor primario en convertidores CC-CC  aislados de alta eficiencia.

    Añadir al carrito
  • El Transistor MOSFET IGBT 20N60C3 está diseñado especialmente para garantizar un rendimiento de conmutación muy eficiente, además soporta picos de energía.

    Añadir al carrito
  • El Mosfet FDA70N20 Canal N esta diseñado especialmente para soportar picos de energía haciéndolo ideal para aplicaciones de potencia.

     

    Añadir al carrito
  • El Transistor Mosfet SVF23N50PN ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado activado obteniendo tiempos de conmutación más cortos aumentando su eficiencia.

    Se utiliza ampliamente en fuentes de alimentación AC-DC, convertidores DC-DC y controladores de motor PWM de puente H, los cuales requieren una gran potencia con tiempos muy cortos.

    Añadir al carrito
  • El Mosfet de potencia NCE80H11 cuenta con tiempos de conmutación muy cortos por lo cual es optimo para fuentes de conmutación de alta frecuencia. Cuenta con un excelente encapsulado el cual garantiza una correcta disipación de calor.

     

    Añadir al carrito
  • El Mosfet de potencia NCE80H12 esta diseñado con tiempos de conmutación muy cortos, obteniendo una alta eficiencia en sus diversas aplicaciones. Cuenta con un excelente encapsulado que proporciona una correcta disipacion del calor.

    Añadir al carrito
  • El MMF60R360Q es un MOSFET de potencia que utiliza la avanzada tecnología de superunión de magnachip que puede tener muy baja resistencia de encendido y carga de puerta. Proporcionará una eficiencia muy alta mediante el uso de tecnología de acoplamiento de carga optimizada. Estos dispositivos fáciles de usar ofrecen una ventaja de baja EMI a los diseñadores, así como una baja pérdida de conmutación.

    Añadir al carrito
  • MOSFET IRF510

    El transistor IRF510 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.

    Añadir al carrito
  • MOSFET IRF520

    El transistor IRF750 tiene diseño con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado, baja resistencia y rentabilidad. El empaquetado es TO-220AB es universalmente preferido para todos aplicaciones comerciales-industriales en la disipación de energía de niveles aproximadamente de 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete, contribuyen a su gran aceptación en toda la industria.

    Añadir al carrito
  • MOSFET IRF740

    Este transistor de potencia de categoría MOSFET,  tiene una mejora del canal N, los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild, plano, tecnología DMOS. Esta tecnología se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia del mismo, proporcionar una conmutación superior, mayor rendimiento y soportar pulsos de alta energía y modo de conmutación alta. Este dispositivo está bien adecuado para fuentes de alimentación conmutadas de alta eficiencia y dispositivos electrónicos como lámparas basados en medio puente.

    Añadir al carrito
  • Transistor MOSFET

    Las aplicaciones típicas son convertidores DC a DC, distribución de energía en productos portátiles y alimentados por batería como computadoras, impresoras, teléfonos celulares y algunos dispositivos inalámbricos.

    Añadir al carrito
  • MOSFET 30F126

    IGBT 30F126 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 330V.

    Añadir al carrito
  • MOSFET 30F126

    IGBT 30F124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 300V.

    Añadir al carrito
  • MOSFET 30F126

    IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.

    Añadir al carrito
  • MOSFET 30F126

    IGBT 30J124 es un transistor MOSFET que se usa como interruptor en circuitos de electrónica de potencia con un voltaje de colector a emisor de 600V.

    Añadir al carrito
  • SO-16N

    Buck síncrono de alta frecuencia, funciona como  convertidor para potencia en procesadores de computadora, sistema de CC-CC aislada de alta frecuencia y cuenta con Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial

    Añadir al carrito
  • SO-16N

    Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, una potencia de 48W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable para uso en aplicaciones automotrices y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • SO-16N

    Reductor síncrono de alta frecuencia Convertidores para potencia de procesador de computadora. Tambien trabaja como CC-CC aislada de alta frecuencia con  Convertidores de rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial

     

    Añadir al carrito
  • SO-16N

    Convertidores reductores síncronos de alta frecuencia para potencia de procesador de computadora.  Tambien trabaja como convertidor CC-CC aislados de alta frecuencia con rectificación síncrona para telecomunicaciones y uso industrial

    Añadir al carrito
  • SO-16N

    Este MOSFET de potencia HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Su temperatura de funcionamiento es de  175 °C, máxima disipación de potencia  140W y tiene una velocidad de conmutación rápida. Extremadamente eficiente y confiable.

     

    Añadir al carrito
  • El Transistor Mosfet RD15HVF1 de canal N viene en encapsulado TO220. Soporta 30V a 4A con una resistencia a la sobrecarga extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido con la tecnología Trench MOSFET.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRFP9140 es un componente eléctrico de canal P que se encarga de regular la salida de voltaje a partir de una tensión de entrada aplicada, diseñado para el uso en fuentes de alimentación conmutadas, fuentes de computadoras y televisores, circuitos de control de motores y aplicaciones de conmutación de propósito general.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF840N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF640N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF540N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF530N es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRFR3607 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRFR3806 es dispositvo electronico SMD de canal N con una baja resistencia de encendido y rapida velocidad de conmutacion  para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF6218 es un dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF3703 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF3708 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF3709 es un dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRF3808 es dispositvo electronico de canal N con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia. Esta combinación hace que el diseño sea una opción extremadamente eficiente y fiable para su uso en sistemas electrónicos de  alta potencia y una amplia variedad de otras aplicaciones.

    Añadir al carrito
  • El transistor Mosfet IRFR5410 es dispositvo electronico de canal P con una baja resistencia de encendido, rapida velocidad de conmutacion y robusto diseño para ser utilizado en aplicaciones de alta potencia.

    Añadir al carrito
  • El transistor AO4606 contiene dos Mosfet complementarios de canal N y canal P en un encapsulado SMD tipo SOP-8. Este posee una excelente RDS(on) y una carga de compuerta baja. los Mosfet complemetarios se pueden utilizar para formar un interruptor de deslizamiento por nivel .

    Añadir al carrito
  • El FDN360P es un MOSFET de un solo canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en el estado activo y mantener una carga de puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y alimentadas por batería.

    Añadir al carrito